--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 80A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、N316AD-VB 產(chǎn)品簡介
N316AD-VB 是一款采用 **TO252 封裝**的 **單 N 通道 MOSFET**,專為高效能和高電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其**漏源電壓 (VDS)** 為 **30V**,并且能夠承受 **±20V 的柵源電壓 (VGS)**,這使得它在多種應(yīng)用場合中具有良好的靈活性。N316AD-VB 采用先進(jìn)的 **Trench 技術(shù)**,實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻,顯著提高了開關(guān)性能和熱管理能力。該器件的低導(dǎo)通電阻特性確保在大電流條件下運(yùn)行時(shí)具有更低的功耗和發(fā)熱,從而提高了系統(tǒng)的整體效率和可靠性。
---
### 二、N316AD-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
| **參數(shù)** | **數(shù)值** | **描述** |
|------------------------|--------------------------------|-------------------------------------------|
| **封裝** | TO252 | 提供良好的散熱性能和可靠性 |
| **配置** | Single-N-Channel | 單個(gè) N 通道 MOSFET |
| **漏源電壓 (VDS)** | 30V | 最大允許的漏源電壓 |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±20V | 最大柵極電壓 |
| **開啟電壓 (Vth)** | 1.7V | 開啟狀態(tài)所需的最小門極電壓 |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 6mΩ @ VGS = 4.5V | 在較低柵極電壓下的導(dǎo)通電阻 |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 5mΩ @ VGS = 10V | 在較高柵極電壓下實(shí)現(xiàn)的更低導(dǎo)通電阻 |
| **連續(xù)漏極電流 (ID)** | 80A | 最大連續(xù)電流承載能力 |
| **技術(shù)** | Trench | 高效溝槽技術(shù),降低導(dǎo)通電阻 |
---
### 三、適用領(lǐng)域與模塊
**1. 電源管理**
- **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:N316AD-VB 可用作高效的開關(guān)元件,適用于降壓和升壓轉(zhuǎn)換器,優(yōu)化電源轉(zhuǎn)換過程的能量損失。
- **電池管理系統(tǒng) (BMS)**:在電動(dòng)車和便攜式設(shè)備的電池充電與保護(hù)電路中,確保電池的安全和高效使用。
**2. 消費(fèi)電子產(chǎn)品**
- **智能手機(jī)和平板電腦**:在這些設(shè)備中用作電源開關(guān),提高電源效率,延長電池使用壽命。
- **LED 照明系統(tǒng)**:在 LED 驅(qū)動(dòng)電路中實(shí)現(xiàn)對(duì)照明亮度的精確控制,確保照明的高效性和穩(wěn)定性。
**3. 汽車電子**
- **電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車**:在這些車輛中作為高效的電源開關(guān),提高動(dòng)力系統(tǒng)的效率。
- **座椅調(diào)節(jié)和窗戶控制**:用于控制電動(dòng)座椅和電動(dòng)窗戶的開關(guān),提高用戶體驗(yàn)和系統(tǒng)響應(yīng)速度。
**4. 工業(yè)控制與自動(dòng)化**
- **電機(jī)控制**:用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制系統(tǒng)中,提供穩(wěn)定而高效的電流開關(guān)能力,確保電機(jī)的平穩(wěn)運(yùn)行。
- **工業(yè)電源模塊**:可應(yīng)用于各種工業(yè)設(shè)備中的電源管理,優(yōu)化能源使用和提升設(shè)備的可靠性。
N316AD-VB 的高性能和廣泛適用性,使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備和工業(yè)控制系統(tǒng)中的理想選擇,尤其在高電流和高效率的場合中表現(xiàn)出色。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛