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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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N2357D-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): N2357D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、N2357D-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

N2357D-VB 是一款采用 **TO-252 封裝** 的 **單 N 溝道 MOSFET**,專為低壓高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏極-源極電壓 (V_DS) 最高可達(dá) **30V**,在 **±20V** 柵極-源極電壓 (V_GS) 下工作,柵極開啟電壓 (V_th) 為 **1.7V**,能在較低的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下高效開啟。  
該器件在 **V_GS = 4.5V** 時(shí)的導(dǎo)通電阻 (R_DS(ON)) 僅為 **9mΩ**,在 **V_GS = 10V** 時(shí)更低至 **7mΩ**,支持高達(dá) **70A** 的漏極電流 (I_D)。憑借其 **Trench 技術(shù)**,N2357D-VB 在高效開關(guān)操作中表現(xiàn)優(yōu)異,是電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池保護(hù)等應(yīng)用的理想選擇。

---

### 二、N2357D-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

| **參數(shù)**                | **描述**                                       | **數(shù)值**           |
|-------------------------|------------------------------------------------|--------------------|
| **封裝類型**             | TO-252 封裝                                    | -                  |
| **極性**                 | 單 N 溝道                                       | -                  |
| **V_DS**                | 漏極-源極電壓                                  | 30V                |
| **V_GS**                | 柵極-源極電壓范圍                              | ±20V               |
| **V_th**                | 柵極開啟電壓                                   | 1.7V               |
| **R_DS(ON)**            | 導(dǎo)通電阻 (V_GS = 4.5V)                         | 9mΩ                |
| **R_DS(ON)**            | 導(dǎo)通電阻 (V_GS = 10V)                          | 7mΩ                |
| **I_D**                 | 最大漏極電流                                   | 70A                |
| **功率耗散 (P_D)**      | 最大功率耗散能力(25°C 時(shí))                     | 70W                |
| **工作溫度范圍**         | 允許的結(jié)溫范圍                                 | -55°C ~ 150°C      |
| **技術(shù)**                | Trench 技術(shù)                                  | -                  |
| **封裝引腳**             | 3 引腳(適用于表面安裝)                        | -                  |

---

### 三、N2357D-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域與模塊說明

1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器與電源管理模塊**  
  N2357D-VB 是 **DC-DC 降壓轉(zhuǎn)換器** 中的理想開關(guān)元件。其低導(dǎo)通電阻減少了能量損耗,提高了電源的轉(zhuǎn)換效率,適用于通信設(shè)備和便攜式電子產(chǎn)品中的電源管理模塊。

2. **電池保護(hù)和充電系統(tǒng)**  
  在鋰離子電池和其他可充電電池的 **保護(hù)板 (BMS)** 中,該器件可作為開關(guān)來防止過流、短路和過充,確保電池組的安全和穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制**  
  該 MOSFET 可用于小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中,如 **無人機(jī)電機(jī)和智能家電** 的電機(jī)控制模塊。其高電流承載能力和快速開關(guān)性能確保了電機(jī)的穩(wěn)定控制。

4. **汽車電子系統(tǒng)**  
  N2357D-VB 廣泛用于 **車載電源管理系統(tǒng)和燈光控制模塊**,如 LED 驅(qū)動(dòng)電路和車載 USB 充電器,確保在惡劣環(huán)境下可靠工作。

5. **負(fù)載開關(guān)和熱插拔應(yīng)用**  
  該器件適用于 **負(fù)載開關(guān)** 和 **熱插拔模塊**,在高負(fù)載情況下可以快速響應(yīng),并確保系統(tǒng)在插拔過程中不受損害。

---

### 總結(jié)  
N2357D-VB 作為一款高效能的 N 溝道 MOSFET,憑借其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,成為各種高效能應(yīng)用的理想選擇。從電源管理到電池保護(hù),再到汽車電子與電機(jī)驅(qū)動(dòng),N2357D-VB 在多個(gè)領(lǐng)域中展現(xiàn)出色性能,確保系統(tǒng)在高電流和嚴(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。

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