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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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MTD9N10E1-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: MTD9N10E1-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### MTD9N10E1-VB 產(chǎn)品簡介

**MTD9N10E1-VB** 是一款高效的單 N 溝道 MOSFET,采用 **TO252 封裝**,設(shè)計用于滿足高電壓和高電流應(yīng)用的需求。其 **漏極-源極電壓 (VDS)** 可達到 **100V**,使其非常適合用于高壓電源管理和開關(guān)應(yīng)用。該器件能夠承受的最大連續(xù)漏電流 (ID) 為 **15A**,確保其在各種負載條件下的穩(wěn)定運行。**MTD9N10E1-VB** 的導(dǎo)通電阻在 **VGS=10V** 時為 **114mΩ**,這意味著它在導(dǎo)通狀態(tài)下的能量損耗極低,極大提升了系統(tǒng)的能效。結(jié)合其 **Trench 技術(shù)**,該 MOSFET 在快速開關(guān)操作時表現(xiàn)出色,是高頻應(yīng)用的理想選擇。

---

### MTD9N10E1-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252  
- **配置**: 單 N 溝道  
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 100V  
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 114mΩ @ VGS = 10V  
- **最大連續(xù)漏電流 (ID)**: 15A  
- **技術(shù)類型**: Trench  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C  

---

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**:MTD9N10E1-VB 可廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源和直流-直流轉(zhuǎn)換器中,能夠承受高達 **100V** 的輸入電壓,非常適合用于工業(yè)設(shè)備、消費電子和通信設(shè)備的電源管理系統(tǒng),提高了能量轉(zhuǎn)換效率。

2. **電動機驅(qū)動**:在電動機控制中,該 MOSFET 可作為開關(guān)元件,適用于驅(qū)動直流電動機和步進電動機,實現(xiàn)對電動機速度和扭矩的精確控制,廣泛用于自動化設(shè)備和家用電器中,提升其工作效率。

3. **LED 照明**:該 MOSFET 適用于高功率 LED 驅(qū)動電路,能夠在高電壓和高電流條件下穩(wěn)定工作,廣泛應(yīng)用于商業(yè)照明和汽車照明系統(tǒng)中,確保 LED 的高效能和長壽命。

4. **汽車電子**:MTD9N10E1-VB 也可以在汽車電子系統(tǒng)中用作電源開關(guān),適合電動助力轉(zhuǎn)向、車載音響和其他智能汽車設(shè)備,提供可靠的電源管理。

5. **消費電子產(chǎn)品**:該 MOSFET 適用于各類消費電子產(chǎn)品,如手機、平板電腦和筆記本電腦中的電源管理和負載開關(guān),能夠提高產(chǎn)品的能效,延長電池使用時間。

總結(jié)來說,MTD9N10E1-VB 是一款功能強大且高效的 N 溝道 MOSFET,適用于電源管理、電動機驅(qū)動和 LED 照明等多個領(lǐng)域,能夠提升電子設(shè)備的整體性能和效率。

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