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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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MTD5P06ET4G-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管

型號: MTD5P06ET4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
  • ID -30A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介  

**MTD5P06ET4G-VB**是一款高性能的單P溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為低電壓和高電流應用而設計。其最大漏源電壓(VDS)為-60V,適合在負電壓環境下使用。該器件的柵源電壓(VGS)范圍為±20V,支持靈活的驅動需求。閾值電壓(Vth)為-1.7V,能夠在較低的柵電壓下實現快速導通。導通電阻(RDS(ON))為72mΩ(@ VGS=4.5V)和61mΩ(@ VGS=10V),確保了在高電流(最大漏極電流ID為-30A)條件下的高效導電性能。MTD5P06ET4G-VB采用Trench技術,具有優越的開關特性,廣泛應用于電源管理、電動機驅動及其他需要高效率和可靠性的領域。

---

### 詳細參數說明  

| **參數**                | **值**             |
|-------------------------|-------------------|
| **型號**                | MTD5P06ET4G-VB    |
| **封裝**                | TO252             |
| **配置**                | 單P溝道           |
| **漏源電壓(VDS)**      | -60V              |
| **柵源電壓(VGS)**      | ±20V              |
| **閾值電壓(Vth)**      | -1.7V             |
| **導通電阻(RDS(ON))** | 72mΩ @ VGS=4.5V   |
| **導通電阻(RDS(ON))** | 61mΩ @ VGS=10V    |
| **漏極電流(ID)**       | -30A              |
| **技術**                | Trench            |

---

### 應用領域與模塊示例  

1. **電源管理**  
MTD5P06ET4G-VB在電源管理系統中具有重要作用,適用于電壓調節和電流控制電路。其能夠在高負電壓下可靠運行,確保電源轉換的穩定性和高效性,廣泛應用于DC-DC轉換器和線性調節器等設計中。

2. **電動機驅動**  
在電動機控制應用中,該MOSFET能夠高效驅動各種電動機,適合于電動工具、風扇及其他需要精確控制的設備。其高導電能力和低導通損耗有助于提高電動機的性能和使用壽命。

3. **汽車電子**  
該器件可用于汽車電子產品,如電池管理系統和高電壓控制電路,確保在汽車環境中的可靠性。MTD5P06ET4G-VB的高電流承載能力使其適合于要求嚴格的汽車應用。

4. **LED照明**  
MTD5P06ET4G-VB在LED驅動電路中也有廣泛應用,尤其是在高功率LED照明系統中。其低導通電阻能夠有效降低能量損耗,提高LED照明的效率和可靠性。

5. **家電產品**  
在家用電器中,該MOSFET可用于高效能量管理,如智能家居設備和各種電動設備,確保在長時間運行中的穩定性和低功耗。

---

綜上所述,**MTD5P06ET4G-VB**是一款高效的P溝道MOSFET,適用于電源管理、電動機驅動、汽車電子、LED照明及家電等多個領域。其優越的電氣特性和可靠性使其成為負電壓應用的理想選擇。

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