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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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MTD4P05T4-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: MTD4P05T4-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、MTD4P05T4-VB 產品簡介  

MTD4P05T4-VB 是一款高效能的 **單 N 溝道 (Single N-Channel)** MOSFET,采用 **TO252 封裝**。該器件具備 **60V** 的漏源電壓 (VDS) 和 **±20V** 的柵源電壓 (VGS),其閾值電壓為 **1.7V**。在 **VGS = 10V** 時,該 MOSFET 的導通電阻 (RDS(ON)) 為 **73mΩ**,在 **VGS = 4.5V** 時為 **85mΩ**,支持最大 **18A** 的漏極電流 (ID)。MTD4P05T4-VB 采用 **Trench 技術**,提供高效的開關性能和低功耗特性,特別適合用于各種電源管理和開關電源設計中。

---

### 二、MTD4P05T4-VB 詳細參數說明  

| 參數                 | 規格                             |
|--------------------|--------------------------------|
| **封裝**             | TO252                         |
| **配置**             | Single N-Channel              |
| **漏源電壓 (VDS)**    | 60 V                         |
| **柵源電壓 (VGS)**    | ±20 V                        |
| **閾值電壓 (Vth)**     | 1.7 V                        |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 85 mΩ @ VGS = 4.5 V          |
|                       | 73 mΩ @ VGS = 10 V            |
| **漏極電流 (ID)**      | 18 A                         |
| **技術**             | Trench                        |

MTD4P05T4-VB 具備低導通電阻和較高的漏極電流能力,使其在高效能和低功耗應用中表現卓越。

---

### 三、應用領域與模塊  

1. **電源管理**  
  MTD4P05T4-VB 在電源管理系統中廣泛應用,作為負載開關和電源切換器,能夠高效控制電源輸出,確保電子設備在安全和高效的狀態下運行,適合各種家用和工業電源控制。

2. **開關電源 (SMPS)**  
  該 MOSFET 常被用于開關電源模塊中,提供高效的開關操作,適合高頻率信號的處理,降低功耗,廣泛應用于計算機電源、充電器和其他電源解決方案。

3. **LED 驅動電路**  
  MTD4P05T4-VB 適合用于 LED 驅動電路,能夠高效控制 LED 的電流,提升照明系統的整體效率,廣泛應用于商業和家用 LED 照明。

4. **電機驅動**  
  在電機驅動應用中,該器件能夠提供強勁的電流,適合控制直流電機和步進電機,廣泛用于電動工具、家用電器和自動化設備中,確保系統的高效運行。

5. **通信設備**  
  MTD4P05T4-VB 也適用于通信設備中的電源模塊,確保電源的穩定性,廣泛應用于無線通信設備、網絡設備及數據處理系統,提高系統的整體性能和可靠性。

通過其優越的性能,MTD4P05T4-VB 成為現代電源管理與控制應用中不可或缺的重要組件,為各類電子設備的高效能運行提供支持。

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