--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 80A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
MTD3302T4G-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專(zhuān)為高效率的電子應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(VDS)為 30V,柵源電壓(VGS)可達(dá) ±20V,閾值電壓(Vth)為 1.7V。該 MOSFET 在 VGS 為 4.5V 時(shí)的導(dǎo)通電阻 RDS(ON) 為 6mΩ,而在 VGS 為 10V 時(shí)則為 5mΩ,具有出色的導(dǎo)通性能。最大漏電流(ID)可達(dá) 80A,配合先進(jìn)的 Trench 技術(shù),MTD3302T4G-VB 能夠提供高效能、低功耗的開(kāi)關(guān)控制,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: MTD3302T4G-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單 N 溝道
- **VDS**: 30V(漏源電壓)
- **VGS**: ±20V(柵源電壓)
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 80A
- **技術(shù)**: Trench
### 適用領(lǐng)域與模塊示例
1. **電源管理**:
MTD3302T4G-VB 可用于開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的電源管理模塊,提供高效的電源轉(zhuǎn)換和能量管理,減少功耗并提高系統(tǒng)效率。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,該 MOSFET 適合用于直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)控制電路,支持高電流和快速開(kāi)關(guān),能夠滿(mǎn)足工業(yè)自動(dòng)化和機(jī)器人技術(shù)中的高效能要求。
3. **LED 驅(qū)動(dòng)**:
MTD3302T4G-VB 是 LED 驅(qū)動(dòng)電路的理想選擇,能夠以極低的導(dǎo)通電阻實(shí)現(xiàn)高效的亮度調(diào)節(jié),廣泛應(yīng)用于大功率照明和汽車(chē)照明系統(tǒng)。
4. **消費(fèi)電子**:
在移動(dòng)設(shè)備、智能家居和可穿戴設(shè)備中,該 MOSFET 可用于電池管理系統(tǒng),優(yōu)化充放電過(guò)程,提高電池使用效率,延長(zhǎng)設(shè)備續(xù)航時(shí)間。
5. **充電器與適配器**:
該 MOSFET 可用于各種充電器和適配器中的開(kāi)關(guān)控制,確保在高負(fù)載電流條件下可靠運(yùn)行,適應(yīng)快速充電技術(shù)的需求。
憑借其卓越的性能和靈活的應(yīng)用場(chǎng)景,MTD3302T4G-VB 是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的重要組件,廣泛應(yīng)用于高效能電路設(shè)計(jì)中。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛