--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
- ID 18A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**MTD3055ET4G-VB** 是一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專(zhuān)為低壓、高電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其優(yōu)越的 Trench 技術(shù)實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻和高效的電流控制,使其在各種電源管理和開(kāi)關(guān)電路中表現(xiàn)出色。該 MOSFET 的漏源電壓(VDS)為 60V,適合多種電氣設(shè)備的應(yīng)用,最大漏電流可達(dá) 18A,能夠應(yīng)對(duì)高負(fù)載需求,廣泛用于工業(yè)和消費(fèi)電子產(chǎn)品中。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**:MTD3055ET4G-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:?jiǎn)?N 通道
- **漏源電壓 (VDS)**:60V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 85mΩ @ VGS = 4.5V
- 73mΩ @ VGS = 10V
- **漏電流 (ID)**:18A
- **技術(shù)**:Trench
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **電源轉(zhuǎn)換器**:
MTD3055ET4G-VB 常用于開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,作為高效的開(kāi)關(guān)器件,能夠提供穩(wěn)定的電力輸出和高效的能量轉(zhuǎn)換。其低導(dǎo)通電阻可減少能量損耗,提高整體效率。
2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
該 MOSFET 在電動(dòng)機(jī)控制電路中表現(xiàn)優(yōu)異,適用于各種直流電動(dòng)機(jī)和步進(jìn)電動(dòng)機(jī)的驅(qū)動(dòng)。由于其高電流處理能力和快速開(kāi)關(guān)特性,能夠有效地控制電機(jī)的運(yùn)行狀態(tài),提高系統(tǒng)的響應(yīng)速度。
3. **照明控制**:
在 LED 照明驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,MTD3055ET4G-VB 可用于控制 LED 的開(kāi)關(guān)狀態(tài),提供穩(wěn)定的電流,從而實(shí)現(xiàn)高效的照明解決方案,適用于商業(yè)和住宅照明系統(tǒng)。
4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:
由于其緊湊的封裝和高性能,該 MOSFET 適合用于便攜式設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品中的電源管理和開(kāi)關(guān)控制電路,提高了設(shè)備的能效和運(yùn)行穩(wěn)定性。
5. **電池管理系統(tǒng)**:
MTD3055ET4G-VB 還可應(yīng)用于電池管理系統(tǒng),特別是在電動(dòng)汽車(chē)和儲(chǔ)能設(shè)備中,負(fù)責(zé)電池的充放電控制,確保系統(tǒng)的安全和高效運(yùn)行。
MTD3055ET4G-VB 的優(yōu)越性能和多樣化的應(yīng)用場(chǎng)景使其成為現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中不可或缺的組件。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛