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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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MTD2N20-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: MTD2N20-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 850mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介  

**MTD2N20-VB**是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為中等功率和高壓應用設計。其最大漏源電壓(VDS)為200V,能夠承受相對高的電壓環境,適合用于多種電力電子設備。該器件的柵源電壓(VGS)范圍為±20V,確保靈活的驅動能力。閾值電壓(Vth)為3V,意味著在較低的柵電壓下就能快速開啟,提升了開關響應速度。其導通電阻(RDS(ON))為850mΩ,在10V的柵極電壓下表現良好,能有效降低導通損耗。最大漏極電流(ID)為5A,適用于多種應用場景。MTD2N20-VB采用Trench技術,具有優越的開關特性和熱性能,廣泛應用于電源管理、開關電源和其他高壓控制領域。

---

### 詳細參數說明  

| **參數**                | **值**            |
|-------------------------|------------------|
| **型號**                | MTD2N20-VB       |
| **封裝**                | TO252            |
| **配置**                | 單N溝道          |
| **漏源電壓(VDS)**      | 200V             |
| **柵源電壓(VGS)**      | ±20V             |
| **閾值電壓(Vth)**      | 3V               |
| **導通電阻(RDS(ON))** | 850mΩ @ VGS=10V  |
| **漏極電流(ID)**       | 5A               |
| **技術**                | Trench           |

---

### 應用領域與模塊示例  

1. **開關電源**  
MTD2N20-VB適合用于開關電源(SMPS)中,作為開關元件能夠高效處理200V的高電壓和中等功率(最大漏極電流5A)。其較低的導通電阻有助于減少開關損耗,提高整體轉換效率。

2. **電源管理系統**  
在電源管理系統中,該MOSFET可用于電流控制和電壓調節。其靈活的柵極驅動能力使其在高電壓應用中表現出色,確保系統的穩定性和高效性。

3. **電動機驅動**  
該器件適用于電動機驅動應用,例如在電動工具和家用電器中。MTD2N20-VB能夠在高壓環境下可靠控制電動機的開關狀態,提升驅動效率和響應速度。

4. **LED驅動電路**  
MTD2N20-VB也非常適合用于LED驅動電路,尤其是在高功率照明應用中。其低導通電阻可以有效降低能耗,并提高LED的驅動性能和使用壽命。

5. **汽車電子應用**  
該MOSFET在汽車電子系統中也具有廣泛的應用前景,如電池管理系統和高壓電氣設備。其高電壓承受能力使得在復雜的電氣環境中能夠穩定工作,確保車輛的電氣系統安全可靠。

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綜上所述,**MTD2N20-VB**是一款高性能的N溝道MOSFET,適合于開關電源、電源管理系統、電動機驅動、LED驅動電路及汽車電子等多個領域。其卓越的電氣特性和可靠性使其成為高電壓應用的理想選擇。

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