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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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MTD10N10ELT4-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: MTD10N10ELT4-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### MTD10N10ELT4-VB 產品簡介

MTD10N10ELT4-VB 是一款高性能單N通道功率 MOSFET,采用 **TO252 封裝**,專為高電壓和高電流應用設計。該器件的漏極-源極電壓 (**VDS**) 可達 **100V**,柵極-源極電壓 (**VGS**) 可達 ±20V,確保其在嚴苛的工作環境中表現出色。其閾值電壓 (**Vth**) 為 **1.8V**,在適當的驅動電壓下,能夠快速切換并保持低導通電阻 (**RDS(ON)**) 為 **114mΩ**(在 VGS 為 **10V** 時)。憑借其 **Trench 技術**,MTD10N10ELT4-VB 提供了優秀的開關性能和能量效率,廣泛應用于各類電源和驅動電路中。

---

### 詳細參數說明

| **參數**                   | **規格**                      |
|--------------------------|-------------------------------|
| **型號**                   | MTD10N10ELT4-VB               |
| **封裝**                   | TO252                         |
| **配置**                   | 單N通道                       |
| **漏極-源極電壓 (VDS)**      | 100V                          |
| **柵極-源極電壓 (VGS)**      | ±20V                          |
| **閾值電壓 (Vth)**           | 1.8V                          |
| **導通電阻 (RDS(ON))**      | 114mΩ @ VGS=10V              |
| **漏極電流 (ID)**           | 15A                           |
| **技術**                   | Trench                        |

---

### 應用領域和模塊示例

**MTD10N10ELT4-VB** 在多個領域和模塊中表現優異,具體示例如下:

1. **開關電源 (SMPS)**  
  - 此 MOSFET 適用于開關電源設計,能夠實現高效的能量轉換和功率管理,減少電源的功耗,提升整體系統效率。

2. **電動機驅動**  
  - 在電機控制應用中,MTD10N10ELT4-VB 能夠高效驅動各種電動機,提供穩定的電流輸出,滿足高功率應用的需求,適合電動工具和家電等領域。

3. **LED驅動**  
  - 該器件適用于LED照明應用,能夠穩定控制LED的驅動電流,確保亮度均勻并延長LED的使用壽命,廣泛用于商業照明和室內照明。

4. **電池管理系統 (BMS)**  
  - 在電池管理系統中,MTD10N10ELT4-VB 能夠優化電池的充放電過程,適用于電動車和儲能系統,確保電池的安全性和高效能。

5. **消費電子**  
  - 此 MOSFET 可用于筆記本電腦、平板電腦等消費電子產品的電源管理模塊,提升能效并降低熱量產生,增強用戶體驗。

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通過其卓越的性能和適用范圍,MTD10N10ELT4-VB 成為現代電子設計中不可或缺的組件,廣泛應用于各類高效能的電源和驅動系統中。

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