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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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MTD10N10ELT4G-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: MTD10N10ELT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介  

**MTD10N10ELT4G-VB**是一款高性能單N溝道MOSFET,封裝形式為TO252,專為高壓和中功率應用設計。該器件具有100V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),使其在各種高壓應用中穩(wěn)定工作。MTD10N10ELT4G-VB的閾值電壓(Vth)為1.8V,能夠在較低的柵極電壓下開啟,提高了電路設計的靈活性。其導通電阻(RDS(ON))在10V的柵極電壓下為114mΩ,確保在負載條件下的低能耗和低發(fā)熱。最大漏極電流(ID)為15A,使其在各類功率要求下都表現(xiàn)出色。采用Trench技術,MTD10N10ELT4G-VB具備卓越的開關性能,廣泛應用于電源管理、馬達驅動和LED驅動等多個領域。

---

### 詳細參數(shù)說明  

| **參數(shù)**                | **值**            |
|-------------------------|------------------|
| **型號**                | MTD10N10ELT4G-VB |
| **封裝**                | TO252            |
| **配置**                | 單N溝道          |
| **漏源電壓(VDS)**      | 100V             |
| **柵源電壓(VGS)**      | ±20V             |
| **閾值電壓(Vth)**      | 1.8V             |
| **導通電阻(RDS(ON))** | 114mΩ @ VGS=10V  |
| **漏極電流(ID)**       | 15A              |
| **技術**                | Trench           |

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### 應用領域與模塊示例  

1. **電源管理系統(tǒng)**  
MTD10N10ELT4G-VB在電源管理系統(tǒng)中可作為高效開關,特別適用于DC-DC轉換器。其高VDS(100V)和低RDS(ON)特性,使其在高壓轉換過程中有效降低能量損耗。例如,在便攜式設備的電源適配器中,該MOSFET可確保高效能量傳輸,優(yōu)化充電過程。

2. **電動機驅動**  
在電動機控制應用中,MTD10N10ELT4G-VB能夠作為驅動開關,支持高達15A的電流。這使其適合于電動工具、電動車輛和家用電器中的電機驅動,能夠實現(xiàn)高效的電機啟動和調(diào)速控制,滿足多種應用需求。

3. **LED驅動電路**  
該MOSFET在LED驅動電路中表現(xiàn)出色,可用作高效開關來控制LED照明系統(tǒng)。MTD10N10ELT4G-VB的低導通電阻特性降低了熱量產(chǎn)生,提升了LED的光效和使用壽命,適合應用于各種室內(nèi)外照明系統(tǒng)。

4. **汽車電子應用**  
在汽車電子控制模塊中,MTD10N10ELT4G-VB可以用作電源開關,如電動窗和座椅加熱器的驅動器。其高電流處理能力和低發(fā)熱特性確保了車輛電子系統(tǒng)的可靠性和安全性,提供穩(wěn)定的電源控制。

5. **工業(yè)自動化與控制**  
該MOSFET適合在工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中作為負載開關使用。例如,它可用于驅動繼電器或接觸器,控制各種工業(yè)設備的啟停。由于其高耐壓和大電流能力,MTD10N10ELT4G-VB能夠滿足各種工業(yè)應用中的需求。

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綜上所述,**MTD10N10ELT4G-VB**是一款性能卓越的N溝道MOSFET,廣泛應用于電源管理、電動機控制、LED照明、汽車電子和工業(yè)自動化等多個領域。其高效導通和低能耗特性,使其成為各類電氣應用中的理想選擇。

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