--- 產品參數 ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 40V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 85A
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、**ME50N04-VB 產品簡介**
ME50N04-VB 是一款高性能 **單N溝道MOSFET**,采用 **TO252 封裝**,其設計滿足中等電壓、高電流應用需求。最大漏源電壓(VDS)為 **40V**,柵源電壓(VGS)范圍為 ±20V,適合在復雜負載條件下運行。該器件的閾值電壓(Vth)為 **2.5V**,可以在較低的驅動電壓下高效開啟。其導通電阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 和 10V 時分別為 **6mΩ** 和 **5mΩ**,展示了其極低的導通損耗和出色的開關性能。ME50N04-VB 的最大連續漏極電流(ID)高達 **85A**,并采用 **Trench 技術**,大幅提升了電流處理能力和熱性能,非常適合于電力電子和高頻開關系統。
---
### 二、**詳細參數說明**
| **參數** | **符號** | **數值** | **單位** | **說明** |
|-----------------------|--------------|--------------------------|--------------|------------------------------|
| 漏源電壓 | VDS | 40 | V | 最大漏源電壓 |
| 柵源電壓 | VGS | ±20 | V | 柵極可承受的電壓范圍 |
| 閾值電壓 | Vth | 2.5 | V | MOSFET 開啟所需的閾值電壓 |
| 導通電阻 (4.5V) | RDS(ON) | 6 | mΩ | VGS=4.5V 時的導通電阻 |
| 導通電阻 (10V) | RDS(ON) | 5 | mΩ | VGS=10V 時的導通電阻 |
| 最大漏極電流 | ID | 85 | A | 連續漏極電流 |
| 封裝類型 | - | TO252 | - | 表貼封裝,適合高功率應用 |
| 技術類型 | - | Trench | - | 低導通電阻的溝槽技術 |
---
### 三、**應用領域及模塊示例**
1. **電動工具和家用電器**
- ME50N04-VB 適用于 **電動工具和家用電器** 中的電動機驅動模塊。其高電流承載能力和低導通損耗確保電機在啟動和運行時的高效率和低發熱量。
2. **DC-DC 轉換器與穩壓模塊**
- 該MOSFET 可用于 **DC-DC 轉換器** 作為功率開關,特別是在汽車電子和通信設備中,以確保高效率的能量轉換和穩定輸出。
3. **UPS和電池管理系統**
- 在 **不間斷電源(UPS)** 和 **電池管理系統** 中,ME50N04-VB 可用于控制電流的流動,確保電池的充放電效率,并延長電池的使用壽命。
4. **汽車電子系統**
- 該器件非常適合 **汽車控制單元(ECU)** 和 **汽車照明系統** 等應用,提供可靠的功率控制和保護功能。
5. **光伏逆變器與工業電源**
- 在 **光伏系統** 和 **工業電源模塊** 中,該MOSFET 的高電流承載能力支持高頻開關操作,確保系統的高效運行。
ME50N04-VB 的低導通電阻、高電流能力及優異的熱性能使其成為 **電動機驅動、開關電源及汽車電子** 等多個領域的理想選擇。其穩定性和高效能也確保了在嚴苛的工業應用中表現卓越。
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