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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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ME07N25-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: ME07N25-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 250V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 176mΩ@VGS=10V
  • ID 17A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、ME07N25-VB 產品簡介  
ME07N25-VB 是一款 **單 N 溝道 MOSFET**,采用 **TO-252 封裝**,其最大耐壓 \(V_{DS}\) 為 250V,柵極電壓 \(V_{GS}\) 范圍為 ±20V。這款 MOSFET 具有 3.5V 的閾值電壓 \(V_{th}\),導通電阻 \(R_{DS(ON)}\) 為 176mΩ(在 10V 柵極驅動電壓下),最大電流承載能力為 17A。借助 **Trench 技術**,該產品在高電壓應用中具備良好的效率和開關速度,適用于功率開關和控制電路。  

---

### 二、ME07N25-VB 詳細參數說明  
| **參數**              | **數值**                     | **說明**                            |
|-----------------------|-----------------------------|-------------------------------------|
| **封裝類型**           | TO-252                      | 適用于表面貼裝,散熱性能優異          |
| **溝道類型**           | 單 N 溝道                   | 以電子為載流子,導通損耗低           |
| **漏源電壓 \(V_{DS}\)** | 250V                        | 最大耐壓,適合高壓系統                |
| **柵源電壓 \(V_{GS}\)** | ±20V                        | 允許的柵極電壓范圍,避免損壞柵極      |
| **閾值電壓 \(V_{th}\)** | 3.5V                        | 柵極開啟所需的最小電壓                |
| **導通電阻 \(R_{DS(ON)}\)** | 176mΩ @ V_{GS}=10V     | 表征導通狀態下的電阻,越低越高效      |
| **最大漏極電流 \(I_D\)** | 17A                        | 漏極最大連續電流,決定載流能力         |
| **技術類型**            | Trench                      | 先進的溝槽技術,提升導電性與開關性能   |
| **工作溫度范圍**        | -55°C ~ 175°C               | 支持工業級與惡劣環境應用              |

---

### 三、應用領域與模塊示例  

1. **工業電源模塊**  
  - 在高電壓 AC-DC 轉換器和 DC-DC 降壓轉換器中,ME07N25-VB 可用于功率因數校正(PFC)電路和電源開關,確保系統高效率與可靠性。  

2. **電機驅動器**  
  - 由于其 250V 的耐壓和 17A 的電流能力,該 MOSFET 可用于電動工具、風扇和小型電機的驅動控制模塊中,保證快速響應與低損耗。  

3. **LED 照明系統**  
  - 在戶外或工業 LED 燈的恒流電源設計中,該 MOSFET 可作為開關元件,提供穩定的電流輸出和長時間穩定運行。  

4. **電池管理系統(BMS)**  
  - 適用于 48V 或更高電壓平臺中的電池保護電路,實現安全充放電管理,避免過流、過壓等問題。  

5. **光伏逆變器**  
  - 在太陽能逆變器和 DC-AC 轉換模塊中,該 MOSFET 能處理高壓輸入,并且確保轉換效率最大化,支持能量的有效傳遞。  

ME07N25-VB 適用于 **高效功率管理、電機驅動、照明及可再生能源系統**,能為不同領域提供可靠的開關與控制解決方案。

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