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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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MDD1902RH-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: MDD1902RH-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 30mΩ@VGS=10V
  • ID 40A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、產品簡介
MDD1902RH-VB是一款采用TO252封裝的單N溝道MOSFET,具有高效率和強大電流承載能力,適合多種功率管理和開關應用。該器件最大漏源電壓(VDS)為100V,柵源電壓(VGS)最大為±20V,導通電阻(RDS(ON))在VGS為4.5V時為35mΩ,在VGS為10V時為30mΩ,具有較低的功耗和出色的導通性能。其最大漏極電流(ID)可達40A,能夠處理高電流應用。采用Trench技術,MDD1902RH-VB提供了更高的效率和更低的導通電阻,廣泛應用于電源轉換、DC-DC轉換器和負載開關等應用中。

### 二、詳細參數說明

| 參數                | 說明                          |
|--------------------|-------------------------------|
| **型號**           | MDD1902RH-VB                   |
| **封裝**           | TO252                         |
| **配置**           | 單N溝道                       |
| **最大漏源電壓 (VDS)** | 100V                          |
| **柵源電壓 (VGS)**   | ±20V                         |
| **閾值電壓 (Vth)**   | 1.8V                         |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 35mΩ @ VGS=4.5V             |
|                    | 30mΩ @ VGS=10V               |
| **最大漏極電流 (ID)** | 40A                          |
| **技術**           | Trench技術                    |

### 三、適用領域和模塊示例

1. **電源管理系統**:
  - MDD1902RH-VB在電源管理系統中非常有用,尤其適合用于**DC-DC轉換器**和電壓調節器。其高電流處理能力和低導通電阻確保了更高的功率轉換效率,減少了系統的發熱,提高了穩定性。

2. **電機驅動控制**:
  - 在**電機控制**應用中,MDD1902RH-VB可以用作功率MOSFET開關元件,驅動電機的啟動、停止和速度控制。其低導通電阻和高電流處理能力使其適合在工業自動化設備、電動工具和家用電器中使用。

3. **負載開關電路**:
  - 該MOSFET適合用于各種**負載開關電路**中,可以有效控制電流流入負載。比如在汽車電子系統中,MDD1902RH-VB可以用于控制車燈、加熱器和其他電氣設備的開關操作。

4. **太陽能和儲能設備**:
  - MDD1902RH-VB在太陽能逆變器和儲能設備中也有廣泛的應用。在這些應用中,它可用于**太陽能板電源轉換**和能量存儲的管理,確保高效的能量轉換和分配。

5. **消費電子**:
  - 在**消費電子產品**(如智能手機、平板電腦)中,MDD1902RH-VB可用于電源調節和充電管理系統。其高效率和小型封裝有助于減少能量損耗,延長電池壽命,同時確保設備穩定運行。

綜上所述,MDD1902RH-VB憑借其高電壓和高電流承載能力,廣泛應用于電源管理、電機驅動、負載開關以及太陽能設備等領域,為現代電子設計提供了高效可靠的解決方案。

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