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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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MDD1653RH-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: MDD1653RH-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:MDD1653RH-VB MOSFET

MDD1653RH-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,適用于高電流和低電阻要求的應(yīng)用。其最大漏源電壓(VDS)為30V,柵源電壓(VGS)范圍為±20V,適合多種功率轉(zhuǎn)換和電源管理場景。該器件的開啟電壓(Vth)為1.7V,能在低電壓下迅速導(dǎo)通,且在VGS=4.5V時,其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))低至6mΩ,在VGS=10V時進一步降低到5mΩ,確保了高效率的功率傳輸。該MOSFET的最大漏極電流(ID)為80A,能夠滿足高功率需求場合的電流負載能力。采用Trench技術(shù),提供更好的電流處理能力和更低的導(dǎo)通損耗。

### 詳細參數(shù)說明:

- **封裝類型**:TO252
- **配置**:單N溝道
- **最大漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **開啟電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS=4.5V
 - 5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:80A
- **技術(shù)類型**:Trench技術(shù)
- **工作溫度范圍**:-55°C ~ 150°C

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:

1. **電動工具和電機驅(qū)動**:
  MDD1653RH-VB憑借其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,非常適用于電動工具和電機驅(qū)動應(yīng)用中。這些場景需要能夠承受高瞬時電流的元件,該器件的80A電流額定值使其成為理想選擇。

2. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:
  在功率轉(zhuǎn)換模塊中,特別是DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器中,MDD1653RH-VB能夠提供高效的功率開關(guān)功能,降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率,特別適用于服務(wù)器電源和工業(yè)電源系統(tǒng)。

3. **電池管理系統(tǒng)**:
  對于電池管理系統(tǒng),該MOSFET可以有效控制電池的充放電過程。其低RDS(ON)特性能夠減少熱損耗,延長電池壽命,并提高能量管理系統(tǒng)的整體性能。

4. **汽車電子系統(tǒng)**:
  MDD1653RH-VB還適用于汽車電子領(lǐng)域,尤其是在電源分配、LED驅(qū)動和車載充電系統(tǒng)中。它的耐高溫和高電流能力確保了在嚴苛的汽車環(huán)境中的可靠性和穩(wěn)定性。

5. **負載開關(guān)和保護電路**:
  由于其高電流能力和低損耗特性,該MOSFET在負載開關(guān)和保護電路中表現(xiàn)優(yōu)異,可以有效防止短路和過載情況發(fā)生,確保設(shè)備的安全運行。

綜上,MDD1653RH-VB MOSFET適用于高功率、高電流應(yīng)用場景,憑借其低導(dǎo)通損耗和高效能,為電源管理、電動工具、汽車電子等領(lǐng)域提供可靠的解決方案。

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