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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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LSG04N65A-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: LSG04N65A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、LSG04N65A-VB 產品簡介
LSG04N65A-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電壓和中等功率應用而設計。該器件的最大漏源電壓為650V,漏極電流可達5A,具有良好的開關性能和低導通電阻(1000mΩ @ VGS=10V)。LSG04N65A-VB 使用SJ_Multi-EPI(超級結多重外延)技術,能夠在高溫和高頻條件下穩定運行,廣泛應用于電源管理和高效能電路。

### 二、LSG04N65A-VB 詳細參數說明
1. **封裝類型**: TO252  
  - TO252封裝為緊湊型設計,便于在空間受限的應用中使用,同時提供良好的散熱性能。

2. **溝道類型**: 單N溝道 (Single-N-Channel)  
  - 支持高效的電流控制,適合多種電源和開關電路應用。

3. **漏源電壓 (VDS)**: 650V  
  - 高電壓耐受能力使其能在高電壓環境中安全穩定地工作。

4. **柵源電壓 (VGS)**: ±30V  
  - 提供靈活的柵源電壓范圍,適合多種電路設計需求。

5. **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V  
  - 確保器件在高效能工作時的可靠性和穩定性。

6. **導通電阻 (RDS(ON))**: 1000mΩ @ VGS=10V  
  - 較低的導通電阻降低了功率損耗,提高系統效率。

7. **漏極電流 (ID)**: 5A  
  - 最大漏極電流適合中等功率的應用需求。

8. **技術**: SJ_Multi-EPI(超級結多重外延技術)  
  - 此技術提高了器件的導電性能和熱性能,確保其在高頻和高溫條件下的可靠性。

### 三、應用領域及模塊舉例
1. **開關電源 (SMPS)**  
  LSG04N65A-VB 非常適合用于開關電源中,能夠高效地控制功率轉換,滿足各種電源需求,如AC/DC電源和DC/DC變換器。

2. **電動汽車 (EV) 電源管理**  
  此MOSFET 可用于電動汽車的電源管理系統中,優化電池的充放電過程,確保電動車在不同負載條件下的高效能和安全性。

3. **LED照明驅動電路**  
  LSG04N65A-VB 可用于LED驅動電路,保證LED在高功率應用中的穩定性和效率,同時降低熱損耗,延長LED的使用壽命。

4. **電機驅動與控制**  
  在電機控制系統中,該MOSFET 可以用作開關元件,提供快速響應和高效能的電流控制,提高電動機的整體效率。

5. **不間斷電源 (UPS)**  
  該器件在UPS系統中可用于電池管理和電源切換,確保在停電時系統的可靠供電,提供高效的能量轉換。

6. **可再生能源逆變器**  
  LSG04N65A-VB 適合用于太陽能逆變器,支持直流到交流的高效轉換,滿足高電壓和高功率的需求,實現可再生能源的有效利用。

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