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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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LSG02N65-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: LSG02N65-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 4300mΩ@VGS=10V
  • ID 2A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### LSG02N65-VB MOSFET 產品簡介

LSG02N65-VB 是一款專為高電壓應用設計的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,具備優異的性能和穩定性。其漏源極電壓(VDS)高達650V,適合在高壓環境下使用。該器件的柵極電壓(VGS)范圍為±30V,具備良好的安全性和可靠性。由于采用了平面(Plannar)技術,LSG02N65-VB 的導通電阻(RDS(ON))為3440mΩ(@ VGS=4.5V)和4300mΩ(@ VGS=10V),雖然導通電阻較高,但在特定應用中依然具備良好的表現。此MOSFET 的額定漏極電流為2A,使其成為各種高壓電氣設備中的理想選擇。

### LSG02N65-VB MOSFET 詳細參數說明

| 參數名稱           | 數值                            |
|--------------------|---------------------------------|
| 封裝類型           | TO252                           |
| MOSFET配置         | 單N溝道                         |
| 漏源極電壓 (VDS)   | 650V                            |
| 柵極電壓 (VGS)     | ±30V                            |
| 閾值電壓 (Vth)     | 3.5V                            |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 3440mΩ @ VGS = 4.5V            |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 4300mΩ @ VGS = 10V             |
| 連續漏極電流 (ID)  | 2A                              |
| 技術               | Plannar                        |

### 應用領域和模塊示例

1. **開關電源(SMPS)**  
  LSG02N65-VB 適用于開關電源設計,能夠在高壓條件下高效工作,適合需要高電壓和低功耗的電源管理系統。其高耐壓特性使其能夠有效應對電源轉換過程中的高電壓沖擊。

2. **電機驅動控制**  
  在電動機驅動系統中,LSG02N65-VB 可用于控制低功率電動機的開關和調速,特別是在小型家電和消費電子產品中,能夠實現平穩的電動機啟動和停止。

3. **照明系統**  
  LSG02N65-VB 可應用于LED照明系統中的開關控制,適合高壓LED驅動,能夠保證在高電壓環境下的安全可靠工作,提升照明產品的性能。

4. **高壓繼電器和開關**  
  在高壓繼電器和開關應用中,該MOSFET 可用于控制和切換電流,適合電氣系統中的高壓開關和保護電路,確保安全穩定的電流管理。

綜上所述,LSG02N65-VB 在高壓電源、開關控制和電動機驅動等領域的廣泛應用,展示了其在電氣設備中的重要性與可靠性。

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