--- 產品參數 ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 4300mΩ@VGS=10V
- ID 2A
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### LSG02N65-VB MOSFET 產品簡介
LSG02N65-VB 是一款專為高電壓應用設計的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,具備優異的性能和穩定性。其漏源極電壓(VDS)高達650V,適合在高壓環境下使用。該器件的柵極電壓(VGS)范圍為±30V,具備良好的安全性和可靠性。由于采用了平面(Plannar)技術,LSG02N65-VB 的導通電阻(RDS(ON))為3440mΩ(@ VGS=4.5V)和4300mΩ(@ VGS=10V),雖然導通電阻較高,但在特定應用中依然具備良好的表現。此MOSFET 的額定漏極電流為2A,使其成為各種高壓電氣設備中的理想選擇。
### LSG02N65-VB MOSFET 詳細參數說明
| 參數名稱 | 數值 |
|--------------------|---------------------------------|
| 封裝類型 | TO252 |
| MOSFET配置 | 單N溝道 |
| 漏源極電壓 (VDS) | 650V |
| 柵極電壓 (VGS) | ±30V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.5V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 3440mΩ @ VGS = 4.5V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 4300mΩ @ VGS = 10V |
| 連續漏極電流 (ID) | 2A |
| 技術 | Plannar |
### 應用領域和模塊示例
1. **開關電源(SMPS)**
LSG02N65-VB 適用于開關電源設計,能夠在高壓條件下高效工作,適合需要高電壓和低功耗的電源管理系統。其高耐壓特性使其能夠有效應對電源轉換過程中的高電壓沖擊。
2. **電機驅動控制**
在電動機驅動系統中,LSG02N65-VB 可用于控制低功率電動機的開關和調速,特別是在小型家電和消費電子產品中,能夠實現平穩的電動機啟動和停止。
3. **照明系統**
LSG02N65-VB 可應用于LED照明系統中的開關控制,適合高壓LED驅動,能夠保證在高電壓環境下的安全可靠工作,提升照明產品的性能。
4. **高壓繼電器和開關**
在高壓繼電器和開關應用中,該MOSFET 可用于控制和切換電流,適合電氣系統中的高壓開關和保護電路,確保安全穩定的電流管理。
綜上所述,LSG02N65-VB 在高壓電源、開關控制和電動機驅動等領域的廣泛應用,展示了其在電氣設備中的重要性與可靠性。
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