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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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LR7834-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): LR7834-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

LR7834-VB 是一款高性能的 **N 溝道功率 MOSFET**,采用 **TO252 封裝**,設(shè)計(jì)用于高電流和高開關(guān)頻率的應(yīng)用場(chǎng)合。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 為 **30V**,支持高達(dá) **±20V** 的柵源電壓 (VGS)。LR7834-VB 的柵極閾值電壓 (Vth) 為 **1.7V**,可以在較低的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下快速導(dǎo)通。其導(dǎo)通電阻為 **3mΩ@VGS=4.5V** 和 **2mΩ@VGS=10V**,在 **120A 的漏極電流 (ID)** 下具有出色的性能,確保最低的能量損耗。這款 MOSFET 采用 **Trench 技術(shù)**,提供了優(yōu)越的導(dǎo)電性能,適合各種電源管理和高頻開關(guān)電路。

### 2. 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **封裝類型**:TO252
- **配置**:?jiǎn)?N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3mΩ @ VGS=4.5V
 - 2mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:120A
- **技術(shù)**:Trench 技術(shù)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C
- **最大功耗 (Ptot)**:取決于散熱設(shè)計(jì)與應(yīng)用場(chǎng)景(TO252 封裝下的散熱管理)

### 3. 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例:

LR7834-VB MOSFET 在多個(gè) **電力電子領(lǐng)域** 中具有廣泛的應(yīng)用,尤其是在高電流和高效率需求的情況下,例如:

- **電源管理系統(tǒng)**:該 MOSFET 非常適合用于開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,能夠有效地管理電能轉(zhuǎn)換,減少能量損耗,在高電流輸出的情況下表現(xiàn)優(yōu)異。

- **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)和步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,LR7834-VB 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠高效地控制電機(jī)的啟動(dòng)和運(yùn)行,確保功率輸出的穩(wěn)定性和效率。

- **逆變器**:LR7834-VB 適用于光伏發(fā)電和風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中的逆變器,能夠?qū)⒅绷麟姼咝У剞D(zhuǎn)換為交流電,并在變化負(fù)載條件下提供穩(wěn)定的電能輸出,確保可再生能源的高效利用。

- **汽車電子**:在電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的電氣系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以用于電池管理和電源分配模塊,能夠處理高電流需求,從而提高系統(tǒng)的能效和安全性,尤其適合電動(dòng)車輛的動(dòng)力系統(tǒng)和電池充電管理。

通過這些特點(diǎn),LR7834-VB 在高效率、低功耗和高電流的應(yīng)用場(chǎng)合中能夠提供卓越的性能和可靠性。

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