--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 20V
- VGS 20(±V)
- Vth 0.5~1.5V
- RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
- ID 100A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**產(chǎn)品簡介(LR3716-VB)**
LR3716-VB是一款高效的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,設(shè)計用于低壓高電流應(yīng)用。其漏源電壓(VDS)額定為20V,而最大漏極電流(ID)可達100A,使其特別適合用于要求較高電流承載能力的應(yīng)用場合。基于先進的溝槽(Trench)技術(shù),該MOSFET具有超低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),確保了高效的開關(guān)性能和較低的功耗。其廣泛的Vth范圍(0.5~1.5V)使其能夠在多個柵源電壓下高效工作。
**詳細參數(shù)說明**
- **封裝**:TO252
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:20V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **開啟電壓(Vth)**:0.5V至1.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 6mΩ@VGS=2.5V
- 4.5mΩ@VGS=4.5V
- **最大漏極電流(ID)**:100A
- **技術(shù)類型**:Trench(溝槽技術(shù))
**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例**
1. **電源管理系統(tǒng)**:LR3716-VB非常適合用于高效的電源轉(zhuǎn)換器和電源管理模塊,特別是在低壓應(yīng)用中,如LED驅(qū)動和DC-DC轉(zhuǎn)換器。其低導(dǎo)通電阻可顯著降低能耗,提高系統(tǒng)效率,從而在電源適配器和充電器等設(shè)備中得到廣泛應(yīng)用。
2. **電動汽車**:在電動汽車領(lǐng)域,LR3716-VB可用于電機驅(qū)動和電池管理系統(tǒng)(BMS)。其高電流承載能力(100A)使其能夠支持電動驅(qū)動系統(tǒng)的瞬態(tài)電流需求,同時保持高效率,確保系統(tǒng)的安全與穩(wěn)定。
3. **工業(yè)自動化**:該MOSFET也可應(yīng)用于工業(yè)自動化設(shè)備中的電機控制和驅(qū)動模塊。LR3716-VB的高效能和低熱量產(chǎn)生特性,使其在各種工業(yè)設(shè)備中確保可靠的電力供應(yīng),提升設(shè)備的運行效率。
4. **計算機與服務(wù)器**:在計算機和服務(wù)器應(yīng)用中,LR3716-VB可用于電源管理和負載開關(guān),能夠有效控制電源流動,確保系統(tǒng)穩(wěn)定性和高效性。它的快速開關(guān)特性和高電流處理能力使其適合于服務(wù)器電源模塊和高性能計算應(yīng)用。
綜上所述,LR3716-VB憑借其優(yōu)越的電氣性能和廣泛的適用性,成為多個高要求領(lǐng)域的理想選擇,為用戶提供高效、可靠的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12