国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

企業號介紹

全部
  • 全部
  • 產品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內容數 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

LR024Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: LR024Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### LR024Z-VB MOSFET 產品簡介

LR024Z-VB 是一款單極N通道金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),采用TO252封裝,設計用于高效能電力應用。該器件的漏源電壓為60V,柵源電壓范圍為±20V,適用于各種電源管理和轉換場合。LR024Z-VB 的開啟閾值電壓為1.7V,確保其在較低的電壓下也能夠快速開啟。其導通電阻(RDS(ON))在柵極電壓為4.5V時為85mΩ,而在10V時降至73mΩ,表現出優良的導通性能,極大地降低了功耗,使其成為高效電源解決方案的理想選擇。

### LR024Z-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**: TO252
- **極性配置**: 單N通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 85mΩ @ VGS=4.5V
 - 73mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 18A
- **技術類型**: Trench技術
- **應用溫度范圍**: 適應廣泛的工作環境,具有良好的熱穩定性。

### LR024Z-VB 的應用領域及模塊

1. **電源管理系統**:LR024Z-VB 的低導通電阻和相對較高的漏極電流使其非常適合用于開關電源(SMPS)和DC-DC轉換器。它在這些應用中能夠顯著降低能量損耗,提高電源的整體效率,尤其適用于對功率損耗敏感的設備。

2. **消費電子產品**:由于其優越的性能,該MOSFET可用于消費電子產品中的電源管理模塊,如筆記本電腦、平板電腦和智能手機的充電器。這種產品要求在小型化的同時提供高效的電源轉換。

3. **電機驅動**:LR024Z-VB 適用于電機驅動應用,如電動工具和家用電器。其能夠承受高電流,并在較低的功耗下高效運行,適合無刷直流電機(BLDC)和其他電機控制系統。

4. **汽車電子**:在汽車電子系統中,該MOSFET 可以用于電池管理系統(BMS)、車載充電器和電源分配模塊,保證系統的高效能與可靠性,特別是在電動和混合動力汽車中。

LR024Z-VB 以其高性能和多功能性,成為高效電源解決方案中不可或缺的器件,廣泛應用于多個領域的電源管理與轉換模塊。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優,同時兼具供應穩定與成本優勢的國產替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    480瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經典器件尋找一個性能更強、供應更穩、價值更高的國產替代方案,已成為驅動產品創新與保障交付安全的核心戰略。面對英飛凌經典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數到系統效能的全面價值躍升。從參數對標到性能飛
    410瀏覽量