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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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L1N06CG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: L1N06CG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介:L1N06CG-VB

L1N06CG-VB 是一款采用 TO252 封裝的單 N 溝道功率 MOSFET,具有 60V 的漏源極電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源極電壓 (VGS) 限制。其柵極閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,使得該器件能在較低的驅動電壓下啟動。L1N06CG-VB 采用先進的 Trench 技術,提供較低的導通電阻,分別為 85mΩ@VGS=4.5V 和 73mΩ@VGS=10V,能夠支持 18A 的最大漏極電流 (ID)。該器件特別適用于開關電源、電動工具和其他要求高效功率轉換的場景。

---

### 詳細參數說明:

- **封裝類型**: TO252  
- **溝道配置**: 單 N 溝道 MOSFET  
- **漏源極電壓 (VDS)**: 60V  
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V  
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 85mΩ @ VGS=4.5V  
 - 73mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**: 18A  
- **技術**: Trench  
- **擊穿電壓 (BVDSS)**: 60V  
- **總柵電荷 (Qg)**: 15nC (典型)  
- **開關速度**: 高速開關應用  
- **功耗 (Ptot)**: 最大 30W  
- **熱阻 (RθJC)**: 50°C/W  
- **結溫范圍 (Tj)**: -55°C 至 150°C  

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### 應用領域和模塊:

1. **開關電源**: L1N06CG-VB 由于其低導通電阻和高電流處理能力,在 DC-DC 轉換器和 AC-DC 轉換器中表現優異,尤其適用于要求高效能的開關電源設計。

2. **電動工具**: 該 MOSFET 適用于電動工具的驅動電路,能夠處理較大的電流需求,并且具有良好的熱性能,確保設備在高負載下穩定運行。

3. **電動機控制**: L1N06CG-VB 可用作電動機的控制開關器件,廣泛應用于各種小型電機驅動場景,包括機器人、電動車等,實現高效驅動和控制。

4. **充電器與電池管理系統**: 該器件在智能充電器與電池管理系統中也非常實用,幫助控制充放電過程,延長電池使用壽命,適用于便攜式設備和電動工具的電源管理。

5. **LED 驅動器**: 在高功率 LED 驅動電路中,L1N06CG-VB 可以提供穩定的電流控制,確保 LED 的效率和亮度,適合各種照明應用。

L1N06CG-VB 擁有較高的電流處理能力和低導通電阻,適用于多個電子應用中的高效開關和控制。

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