--- 產品參數 ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
- ID 18A
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
**一、K973-VB產品簡介:**
K973-VB是一款高效能的單通道N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為中等電壓和高電流應用設計。該器件的最大漏源電壓(VDS)為60V,柵源電壓(VGS)為±20V,閾值電壓(Vth)為1.7V。在柵源電壓為4.5V和10V的條件下,其導通電阻(RDS(ON))分別為85mΩ和73mΩ,最大漏極電流(ID)為18A。K973-VB采用Trench技術,具備優秀的開關特性和熱性能,非常適合用于高頻和高效率的電源管理應用。
**二、K973-VB詳細參數說明:**
1. **封裝類型**:TO252
2. **配置**:單N溝道
3. **最大漏源電壓(VDS)**:60V
4. **柵源電壓(VGS)**:±20V
5. **閾值電壓(Vth)**:1.7V
6. **導通電阻(RDS(ON))**:
- 85mΩ @ VGS=4.5V
- 73mΩ @ VGS=10V
7. **最大漏極電流(ID)**:18A
8. **最大功耗(Ptot)**:45W
9. **工作溫度范圍**:-55°C至150°C
10. **技術**:Trench技術,適合高頻和高效應用
11. **最大脈沖漏極電流(IDM)**:30A
**三、應用領域和模塊:**
1. **DC-DC轉換器**:K973-VB非常適用于DC-DC轉換器中,特別是在降壓轉換器和升壓轉換器電路中。其低導通電阻和高電流承載能力能夠提高能效,降低熱損耗。
2. **電源管理系統**:在電源管理模塊中,該MOSFET可用于開關電源(SMPS)、適配器和電池充電器等應用。其高效的開關特性和良好的熱性能使其能夠滿足現代電子設備對高效能和小型化的要求。
3. **電動汽車**:K973-VB在電動汽車及其充電系統中也得到了廣泛應用。由于其高電流和耐壓性能,該MOSFET可以在電機驅動和電池管理系統中實現高效的能量傳輸和轉換。
4. **LED驅動電路**:該MOSFET適用于LED照明應用,包括LED驅動電路和智能照明系統。通過對LED進行高效控制,K973-VB能夠提高照明系統的能效和可靠性。
K973-VB憑借其卓越的電氣性能和廣泛的應用適用性,成為現代電源管理和高效能系統中的理想選擇,滿足各類高頻和高效應用的需求。
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