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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K60S06K3L-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K60S06K3L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=10V
  • ID 97A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**產品簡介**  
K60S06K3L-VB 是一款采用 TO252 封裝的單N溝道MOSFET,設計用于各種高效能電源和開關應用。其主要特點是耐壓能力為60V,具有較高的額定電流能力(97A),適用于大功率設備的電流開關與控制。通過采用先進的溝槽型(Trench)技術,它在較低柵極驅動電壓下(如4.5V或10V)能夠提供低導通電阻(RDS(ON)),從而減少能量損耗,提升系統效率。K60S06K3L-VB 適用于需要高功率密度和高效切換的場景,如電動汽車、電源轉換和工業控制等領域。

**詳細參數說明**  
1. **封裝類型**:TO252  
2. **極性配置**:單N溝道  
3. **漏源電壓 (VDS)**:60V  
4. **柵極電壓 (VGS)**:±20V  
5. **開啟電壓 (Vth)**:3V  
6. **導通電阻 (RDS(ON))**:  
  - 12mΩ @ VGS=4.5V  
  - 4.5mΩ @ VGS=10V  
7. **漏極電流 (ID)**:97A  
8. **技術類型**:溝槽型(Trench)  

**應用領域與模塊示例**  
1. **電動汽車(EV)與混合動力汽車(HEV)電源模塊**:K60S06K3L-VB 在電動汽車和混合動力汽車的動力管理系統中非常適合,用于直流-直流轉換器、車載充電器和電機驅動器。這款MOSFET的高電流承載能力以及低導通電阻能夠有效減少熱損耗,提升車輛電力系統的效率。

2. **電源轉換模塊**:在高效電源轉換器(如DC-DC和AC-DC轉換器)中,K60S06K3L-VB 提供了穩定的高效開關功能,其較低的導通電阻和高電流處理能力可確保電力傳輸中的低功耗和快速響應,適合應用于數據中心、電信設備和消費類電子產品。

3. **工業控制與自動化模塊**:在工業自動化設備中,該型號的MOSFET可用于電機驅動、繼電器替代和高效的電源控制模塊。其在低電壓大電流場景下表現優異,確保了設備運行的穩定性與高效性,適用于工業機器人、數控機床和可編程邏輯控制器(PLC)等領域。  

綜上所述,K60S06K3L-VB是一款適合多種高功率密度與高效應用的MOSFET,適用于需要高效率電源管理的多領域模塊。

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