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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K60P03M1-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K60P03M1-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### K60P03M1-VB MOSFET 產品簡介:
K60P03M1-VB 是一款高性能的單 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,具有低導通電阻和高電流處理能力。該器件適用于 30V 低壓應用,柵源電壓(VGS)為 ±20V,閾值電壓(Vth)為 1.7V。該器件的導通電阻在 VGS=4.5V 時為 3mΩ,在 VGS=10V 時為 2mΩ,并能夠處理高達 100A 的連續漏極電流(ID)。K60P03M1-VB 采用了先進的溝槽(Trench)技術,具有高效的功率轉換性能,特別適合需要高電流、高能效的電路。

### 詳細參數說明:
1. **封裝:** TO252 – 具有較好的熱性能,適合緊湊的電路設計。
2. **配置:** 單 N 通道 – 用于功率轉換和開關控制。
3. **VDS(漏源電壓):** 30V – 適用于低壓應用場景。
4. **VGS(柵源電壓):** ±20V – 提供較好的驅動靈活性。
5. **Vth(閾值電壓):** 1.7V – 較低的開啟電壓,適合低功率驅動。
6. **RDS(ON)(導通電阻):** 
  - 3mΩ @ VGS = 4.5V
  - 2mΩ @ VGS = 10V – 極低的導通電阻,減少功率損耗,提升能效。
7. **ID(連續漏電流):** 100A – 適合高電流應用,保證大功率處理。
8. **技術:** 溝槽(Trench)技術 – 提供高效的開關特性和較低的導通損耗。

### 應用示例:
K60P03M1-VB MOSFET 的高電流處理能力和低導通電阻使其在多個應用領域中表現優異,以下是該器件的典型應用場景:

- **電動工具與電動機驅動:** 該器件適合在電動工具和直流電動機驅動中使用,由于其高電流承載能力和低導通電阻,能夠提高設備的運行效率并降低能量損耗。
- **汽車電子系統:** K60P03M1-VB 適合在汽車的功率管理和控制模塊中使用,特別是在電源分配模塊、電池管理系統和電動驅動控制系統中,幫助優化能源分配和提高電路穩定性。
- **電源管理模塊(DC-DC 轉換器):** 此 MOSFET 也廣泛用于 DC-DC 電源管理系統中,特別是在需要高效率、高電流輸出的開關電源中,如服務器、路由器等設備的電源管理。
- **負載開關:** 由于其極低的導通電阻,K60P03M1-VB 非常適合用作高電流負載的開關元件,確保功率傳輸的效率和穩定性,適合用于家電、照明等設備。
- **太陽能逆變器:** 該 MOSFET 可用于光伏系統中的電力轉換與能量管理,在逆變器模塊中實現高效的直流到交流轉換。

總的來說,K60P03M1-VB MOSFET 以其出色的低導通電阻和高電流能力,特別適合應用于電動工具、汽車電子、電源管理模塊及太陽能系統等領域,提供高效的功率控制與轉換解決方案。

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