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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K45S06K3L-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K45S06K3L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
  • ID 58A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### K45S06K3L-VB MOSFET 產品簡介:
K45S06K3L-VB 是一款高性能的單 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為中低電壓應用設計。其漏極到源極電壓(VDS)為 60V,柵極到源極電壓(VGS)為 ±20V,能夠在多種條件下穩定運行。該器件的閾值電壓(Vth)為 2.5V,使其在較低的驅動電壓下即可導通。K45S06K3L-VB 在 VGS 為 4.5V 時,導通電阻(RDS(ON))為 13mΩ,而在 VGS 為 10V 時,導通電阻進一步降低至 10mΩ,這樣的低導通電阻使得該器件可以支持高達 58A 的連續漏電流(ID),非常適合需要高效功率管理的應用場景。該 MOSFET 采用 Trench 技術,具有優異的電氣性能和散熱性能。

### 詳細參數說明:
1. **封裝:** TO252 – 小型化封裝,適合高功率應用。
2. **配置:** 單 N 通道 – 適用于多種開關和放大電路。
3. **VDS(漏極到源極電壓):** 60V – 適合中低電壓應用。
4. **VGS(柵極到源極電壓):** ±20V – 提供穩定的柵極驅動能力。
5. **Vth(閾值電壓):** 2.5V – 低閾值電壓,適合低電壓驅動。
6. **RDS(ON)(漏源間導通電阻):**
  - 13mΩ @ VGS = 4.5V – 低導通電阻,適合高效率應用。
  - 10mΩ @ VGS = 10V – 更低導通電阻,適合高電流應用。
7. **ID(連續漏電流):** 58A – 支持高負載,適合各種電源管理應用。
8. **技術:** Trench – 提供更低的導通電阻和高效的功率轉換。

### 應用示例:
K45S06K3L-VB MOSFET 因其出色的電流承載能力和低導通電阻,適合廣泛的應用領域。以下是一些具體的應用場景:

- **電源管理模塊:** 該 MOSFET 在 DC-DC 轉換器和電源調節器中被廣泛應用,能夠高效地將輸入電壓轉換為所需輸出,確保在高電流負載下的穩定性和可靠性。
- **電動工具:** 在高功率電動工具的電機驅動中,K45S06K3L-VB 可作為開關元件,支持高達 58A 的電流,確保工具在各種負載條件下的高效運行。
- **電動汽車(EV):** 該器件可用于電動汽車的電源管理和電池控制系統,提供高效能量轉換,確保電池的穩定性和安全性。
- **消費電子產品:** K45S06K3L-VB 適用于高性能的消費類電子設備,如智能手機和筆記本電腦的電源管理模塊,實現高效能耗控制。
- **照明控制:** 在 LED 驅動電路中,該 MOSFET 提供穩定的電流控制,確保 LED 照明系統的高效能和長壽命。

綜上所述,K45S06K3L-VB MOSFET 憑借其優異的低導通電阻、高電流能力和高效 Trench 技術,在電源管理模塊、電動工具、電動汽車及消費電子產品中展現出廣泛的應用潛力,確保了高效的功率轉換和穩定的電流控制。

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