--- 產品參數 ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
- ID 100A
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### K4213-ZK-E1-VB MOSFET 產品簡介:
K4213-ZK-E1-VB 是一款高性能的單 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電流和低電壓應用設計。該器件具有 30V 的漏極到源極電壓(VDS)和 ±20V 的柵極到源極電壓(VGS)耐受能力,能夠在較高的電流條件下運行。其閾值電壓(Vth)為 1.7V,確保低電壓下的高效導通。K4213-ZK-E1-VB 在 VGS 為 4.5V 時,導通電阻(RDS(ON))僅為 3mΩ,而在 VGS 為 10V 時進一步降低至 2mΩ,支持高達 100A 的連續漏電流(ID),使其成為高效能電源管理和開關應用的理想選擇。該 MOSFET 采用 Trench 技術,具有優異的功率轉換效率和熱性能。
### 詳細參數說明:
1. **封裝:** TO252 – 小型化封裝,適合高功率應用。
2. **配置:** 單 N 通道 – 可用于多種開關和放大電路。
3. **VDS(漏極到源極電壓):** 30V – 適合低電壓應用。
4. **VGS(柵極到源極電壓):** ±20V – 提供穩定的柵極驅動能力。
5. **Vth(閾值電壓):** 1.7V – 低閾值電壓,適合低電壓驅動。
6. **RDS(ON)(漏源間導通電阻):**
- 3mΩ @ VGS = 4.5V – 低導通電阻,適合高效率應用。
- 2mΩ @ VGS = 10V – 更低導通電阻,適合高電流應用。
7. **ID(連續漏電流):** 100A – 支持高負載,適合各種電源管理應用。
8. **技術:** Trench – 提供更低的導通電阻和高效的功率轉換。
### 應用示例:
K4213-ZK-E1-VB MOSFET 由于其低導通電阻和高電流承載能力,適用于多個領域和模塊。以下是一些具體的應用場景:
- **電源管理系統:** 該 MOSFET 在 DC-DC 轉換器和電源調節器中廣泛應用,能夠高效地將輸入電壓轉換為所需輸出,確保設備在高電流負載下的穩定性和可靠性。
- **電動工具:** 在高功率電動工具的電機驅動中,K4213-ZK-E1-VB 可以作為開關元件,支持高達 100A 的電流,確保工具在各種負載條件下的高效運行。
- **電動汽車(EV):** 該器件可用于電動汽車的電源管理和電池控制系統,提供高效能量轉換,確保電池的穩定性和安全性。
- **消費電子產品:** K4213-ZK-E1-VB 適用于高性能的消費類電子設備,如智能手機和筆記本電腦的電源管理模塊,實現高效能耗控制。
- **照明控制:** 在 LED 驅動電路中,該 MOSFET 提供穩定的電流控制,確保 LED 照明系統的高效能和長壽命。
綜上所述,K4213-ZK-E1-VB MOSFET 憑借其優異的低導通電阻、高電流能力和高效 Trench 技術,在電源管理系統、電動工具、電動汽車及消費電子產品中展現出廣泛的應用潛力,確保了高效的功率轉換和穩定的電流控制。
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