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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K4212A-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K4212A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### K4212A-VB MOSFET 產品簡介:
K4212A-VB 是一款高性能、低電阻的單 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電流、低電壓應用設計。其漏極到源極電壓(VDS)為 30V,柵極到源極電壓(VGS)為 ±20V,具有較低的開啟閾值電壓(Vth),僅為 1.7V。該器件在 VGS 為 4.5V 時,導通電阻(RDS(ON))為 6mΩ,在 VGS 為 10V 時進一步降低至 5mΩ,支持高達 80A 的連續漏電流(ID)。該 MOSFET 采用 Trench 技術,提供更低的導通電阻和高效的功率轉換,非常適合高效率的電源管理和開關應用。

### 詳細參數說明:
1. **封裝:** TO252 – 小型散熱封裝,適合高功率應用。
2. **配置:** 單 N 通道 – 適用于開關和放大電路中的高電流應用。
3. **VDS(漏極到源極電壓):** 30V – 適合低電壓應用。
4. **VGS(柵極到源極電壓):** ±20V – 提供穩定的柵極驅動耐受能力。
5. **Vth(閾值電壓):** 1.7V – 低閾值電壓,適合低電壓控制應用。
6. **RDS(ON)(漏源間導通電阻):**
  - 6mΩ @ VGS = 4.5V – 低電阻,適合低電壓導通。
  - 5mΩ @ VGS = 10V – 更低電阻,支持更高電流。
7. **ID(連續漏電流):** 80A – 適合高電流處理,適用于大功率電路。
8. **技術:** Trench – 溝槽技術,提供更高的效率和低損耗。

### 應用示例:
K4212A-VB MOSFET 以其低導通電阻和高電流承載能力,適合廣泛的應用領域,尤其是在高效功率轉換和開關電路中。以下是一些具體的應用場景:

- **電源管理模塊(Power Management Modules):** 該 MOSFET 適合用于 DC-DC 轉換器和電源調節器,特別是在計算設備、服務器和網絡設備中,能夠在低電壓下高效地傳輸大電流,優化能效。
- **電動工具:** 在高功率電動工具中,K4212A-VB 可用于電機控制和功率開關應用,提供足夠的電流承載能力,確保工具在重載條件下的可靠工作。
- **汽車電子:** 在汽車電子系統中,該器件適用于車載電源分配、電池管理和電動系統控制,確保在苛刻的環境下提供高效的功率管理。
- **消費類電子產品:** K4212A-VB 在高性能的消費類電子產品中,如筆記本電腦、智能手機和平板電腦的電源管理模塊中發揮著關鍵作用,確保設備的高效能耗控制。
- **照明系統:** 在 LED 驅動器和電源控制系統中,該 MOSFET 提供穩定的電流控制,確保 LED 照明設備的長壽命和高效能。

綜上所述,K4212A-VB MOSFET 憑借其優異的低導通電阻、高電流能力和高效 Trench 技術,廣泛應用于電源管理模塊、電動工具、汽車電子以及消費類電子產品中,確保了高效的功率轉換和穩定的電流控制。

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