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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K416STL-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K416STL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**K416STL-VB MOSFET產(chǎn)品簡介**

K416STL-VB是一款高性能的單通道N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為中低壓應(yīng)用設(shè)計。該器件的最大漏源電壓(VDS)為60V,最大柵源電壓(VGS)為±20V,門檻電壓(Vth)為1.7V。K416STL-VB的導(dǎo)通電阻在不同柵電壓下表現(xiàn)出色:在VGS=4.5V時為85mΩ,而在VGS=10V時更低,為73mΩ。其最大漏極電流(ID)可達18A。該MOSFET采用了新型的Trench技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)更低的導(dǎo)通損耗和更高的開關(guān)速度,非常適合用于高效能量轉(zhuǎn)換和功率管理等應(yīng)用。

---

**K416STL-VB詳細參數(shù)說明**

- **封裝類型**: TO252  
- **配置**: 單N溝道  
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 60V  
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 85mΩ @ VGS=4.5V  
 - 73mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**: 18A  
- **技術(shù)工藝**: Trench  
- **最大功耗**: 具體功耗取決于散熱條件和工作環(huán)境。  
- **工作溫度范圍**: -55°C至+150°C  
- **開關(guān)速度**: 由于Trench技術(shù),具有較快的開關(guān)速度和低開關(guān)損耗。

---

**應(yīng)用領(lǐng)域及模塊**

1. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:  
  K416STL-VB MOSFET在DC-DC轉(zhuǎn)換器中應(yīng)用廣泛,尤其是那些需要高效率和低功耗的場合。它的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其能夠有效地進行電源轉(zhuǎn)換,提高系統(tǒng)的整體效率。

2. **電池管理系統(tǒng)**:  
  在電池管理系統(tǒng)中,該MOSFET可用于實現(xiàn)高效的充電和放電控制。K416STL-VB的快速開關(guān)特性有助于提高電池的使用效率,確保安全和穩(wěn)定的電池性能。

3. **LED驅(qū)動電路**:  
  K416STL-VB適合用于LED驅(qū)動電路,特別是在高功率LED應(yīng)用中。其高電流能力和低導(dǎo)通損耗使其能夠高效驅(qū)動LED,延長LED的使用壽命并提高照明效率。

4. **電動工具**:  
  該MOSFET可用于電動工具的電源管理,提供可靠的開關(guān)功能和高效的功率傳輸。K416STL-VB的高電流能力確保了工具在負載變化時能夠保持穩(wěn)定的性能。

5. **便攜式設(shè)備**:  
  K416STL-VB在便攜式電子設(shè)備中也得到了廣泛應(yīng)用,尤其是在需要高效能量管理的小型設(shè)備中。其小巧的封裝和優(yōu)異的性能使其非常適合用于移動設(shè)備和消費電子產(chǎn)品。

綜上所述,K416STL-VB MOSFET是一款適合中低壓應(yīng)用的高性能器件,在DC-DC轉(zhuǎn)換、電池管理、LED驅(qū)動以及電動工具等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出優(yōu)異的性能和廣泛的應(yīng)用潛力。

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