国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

企業號介紹

全部
  • 全部
  • 產品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內容數 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

K4091-ZK-E1-AY-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K4091-ZK-E1-AY-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### K4091-ZK-E1-AY-VB 產品簡介

K4091-ZK-E1-AY-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,設計用于低壓高電流應用。該器件的最大漏極-源極電壓 (VDS) 為 30V,支持的門源電壓 (VGS) 為 ±20V。其閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,導通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS=4.5V 時為 9mΩ,VGS=10V 時為 7mΩ。K4091-ZK-E1-AY-VB 支持高達 70A 的漏極電流 (ID),并采用了高效的 Trench 技術,使其在電源管理和驅動電路中具有出色的性能和高效性,廣泛應用于電源轉換器、驅動電路和其他低壓大電流的電子設備。

### 詳細參數說明

| 參數                  | 描述                      |
|---------------------|-------------------------|
| **封裝**              | TO252                   |
| **配置**              | 單 N 溝道 MOSFET        |
| **最大漏極電壓 (VDS)** | 30V                     |
| **門源電壓 (VGS)**    | ±20V                    |
| **閾值電壓 (Vth)**    | 1.7V                    |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 9mΩ @ VGS=4.5V         |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 7mΩ @ VGS=10V          |
| **最大漏極電流 (ID)**  | 70A                     |
| **技術**              | Trench                  |

### 適用領域與模塊示例

1. **電源管理**:K4091-ZK-E1-AY-VB 可用于各種電源管理應用,例如 DC-DC 轉換器。由于其低導通電阻和高電流能力,這款 MOSFET 能有效降低功耗,提升系統效率,特別適合于需要高效能和高可靠性的電源設計,如手機充電器、便攜式設備的電源模塊等。

2. **電機驅動**:該 MOSFET 的高電流能力使其適合用于電機驅動應用,如小型電機和步進電機驅動器。在這些應用中,K4091-ZK-E1-AY-VB 能夠提供快速的開關操作和高效的電流控制,確保電機的平穩運行和高效能。

3. **LED 驅動**:在 LED 驅動電路中,該 MOSFET 可用于控制高電流和高效率的 LED 照明系統。K4091-ZK-E1-AY-VB 通過其低導通電阻和高電流能力,能夠確保穩定的電流輸出,適應不同的 LED 照明需求,廣泛應用于家居照明和商業照明設備。

4. **電子開關**:K4091-ZK-E1-AY-VB 適用于各種開關電源和電子開關應用,能夠有效控制負載電流。在計算機電源管理、家電開關及其他需要快速開關控制的電路中,表現出色。

5. **充電器應用**:該器件在充電器應用中也非常受歡迎,特別是在電池管理系統中。其高電流處理能力和低導通電阻,能夠有效提高充電效率并降低發熱,適合用于鋰電池充電器和移動設備的快速充電解決方案。

K4091-ZK-E1-AY-VB 的高效性能和低電阻特性,使其成為低壓高電流應用中理想的選擇,在廣泛的電子設備和模塊中都有著重要的應用。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優,同時兼具供應穩定與成本優勢的國產替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    478瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經典器件尋找一個性能更強、供應更穩、價值更高的國產替代方案,已成為驅動產品創新與保障交付安全的核心戰略。面對英飛凌經典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數到系統效能的全面價值躍升。從參數對標到性能飛
    408瀏覽量