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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K4080-ZK-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K4080-ZK-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、K4080-ZK-VB 產品簡介

K4080-ZK-VB 是一款采用 TO252 封裝的單 N 溝道 MOSFET,專為低電壓高電流應用設計。其漏源電壓 (VDS) 為 30V,柵源電壓 (VGS) 高達 ±20V,具有較低的柵極門限電壓 (Vth) 1.7V,確保快速開啟響應。該器件的導通電阻 (RDS(ON)) 分別為 6mΩ(@ VGS=4.5V)和 5mΩ(@ VGS=10V),最大漏極電流 (ID) 可達 80A,提供了卓越的電流處理能力和高效的功率轉換。這款 MOSFET 采用先進的溝槽 (Trench) 技術,進一步優化了其導通損耗,使其非常適合高效電源管理和開關應用。

### 二、K4080-ZK-VB 詳細參數說明

- **型號**:K4080-ZK-VB
- **封裝類型**:TO252
- **配置**:單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極門限電壓 (Vth)**:1.7V
- **漏源導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS = 4.5V
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:80A
- **技術類型**:溝槽型技術 (Trench)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C(結溫)
- **功率耗散**:與具體的應用條件相關

### 三、K4080-ZK-VB 應用領域與模塊舉例

1. **DC-DC 轉換器**  
  K4080-ZK-VB 特別適合低壓 DC-DC 轉換器應用,其較低的導通電阻和高電流承載能力使其在高效能量轉換中表現出色。它能夠在筆記本電腦、服務器電源模塊、通信設備中提供高效的電流切換與管理,減少損耗并提高系統整體效率。

2. **電動工具與電池管理系統**  
  在電動工具和電池管理系統中,K4080-ZK-VB 的高電流承載能力 (80A) 以及較低的導通電阻,使其能夠快速響應高負載需求,維持穩定的輸出電流。其應用范圍涵蓋電動工具的電機驅動模塊、電池保護電路以及便攜式設備的電源控制。

3. **電源管理模塊 (PMU)**  
  該器件非常適合用于電源管理模塊中,特別是在需要高效開關操作和能量轉換的場合,如智能手機和可穿戴設備的電源管理單元 (PMU)。其低柵極驅動需求和快速開關能力可以有效降低轉換損耗,延長電池續航時間。

4. **汽車電子設備**  
  K4080-ZK-VB 的溝槽技術 (Trench) 使其在汽車電子應用中具有很好的表現,如用于 12V 汽車電池系統的低壓電源控制、車載充電器、汽車照明系統等領域。其高電流處理能力確保了車載電氣設備的高效運行。

總結而言,K4080-ZK-VB 是一款高效、低損耗的 N 溝道 MOSFET,適用于低壓、高電流的電源管理、DC-DC 轉換、汽車電子和電動工具等多個應用領域,能夠為設備提供穩定的電源轉換與控制解決方案。

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