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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K4080-ZK-E2-AY-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K4080-ZK-E2-AY-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### K4080-ZK-E2-AY-VB 產品簡介

K4080-ZK-E2-AY-VB 是一款采用 TO252 封裝的單 N 通道 MOSFET,設計用于低壓、高電流應用。它具有最大漏極源極電壓 (VDS) 為 30V,柵極源極電壓 (VGS) 為 ±20V 的特性,提供較寬的操作電壓范圍。該 MOSFET 的閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,能夠迅速開啟并提供穩定的電流控制。導通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS=4.5V 時為 6mΩ,VGS=10V 時為 5mΩ,這使其能夠在大電流傳輸中保持低功耗。最大漏極電流 (ID) 為 80A,配合其 Trench 技術,使該器件在高效電源管理系統和開關電路中表現出色。

### 詳細參數說明

| 參數               | 值                     |
|------------------|----------------------|
| 型號               | K4080-ZK-E2-AY-VB     |
| 封裝               | TO252                |
| 配置               | 單 N 通道            |
| 最大漏極源極電壓 (VDS) | 30V                  |
| 最大柵極源極電壓 (VGS) | ±20V                |
| 閾值電壓 (Vth)    | 1.7V                 |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 6mΩ @ VGS=4.5V       |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 5mΩ @ VGS=10V        |
| 最大漏電流 (ID)   | 80A                  |
| 技術               | Trench               |

### 應用領域和模塊示例

K4080-ZK-E2-AY-VB MOSFET 廣泛應用于多個領域,尤其適合以下模塊:

1. **電源管理模塊**:K4080-ZK-E2-AY-VB 的低導通電阻和高電流能力使其成為高效 DC-DC 轉換器和穩壓電源中的理想選擇,能夠提高功率轉換效率并降低能量損耗。

2. **汽車電子**:在電動汽車或電池管理系統中,該器件用于電源分配和保護電路。其大電流處理能力支持快速充放電和負載調節,確保電動系統的高效運行。

3. **電動工具驅動**:K4080-ZK-E2-AY-VB 能夠為高功率電動工具提供強勁的電流支持,確保電動工具在高負荷下能夠保持穩定輸出,同時降低功耗和發熱。

4. **LED 照明驅動**:在 LED 驅動應用中,該 MOSFET 能夠提供持續穩定的電流,有效控制亮度并延長 LED 的使用壽命,特別適用于大功率照明設備。

5. **消費電子設備**:在智能家居、手機、平板電腦等設備的電源控制模塊中,K4080-ZK-E2-AY-VB 憑借其高效能和低功耗特性,能夠確保電子設備在長時間運行中的穩定性。

總之,K4080-ZK-E2-AY-VB 以其出色的電流承載能力和高效能成為多種現代電子設備和系統中的關鍵組件,為電源管理、電動驅動和電子消費產品提供可靠的支持。

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