国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

企業號介紹

全部
  • 全部
  • 產品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內容數 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

K4078B-ZK-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K4078B-ZK-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、K4078B-ZK-VB 產品簡介

K4078B-ZK-VB 是一款高效能的單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為低電壓、高電流應用而設計。其漏源電壓 (VDS) 達到 40V,能夠支持 ±20V 的柵源電壓 (VGS),確保在多種工作條件下的穩定性。該器件的柵極門限電壓 (Vth) 為 2.5V,提供了快速的開關響應能力。在導通狀態下,K4078B-ZK-VB 的漏源導通電阻 (RDS(ON)) 為 6mΩ(@ VGS=4.5V)和 5mΩ(@ VGS=10V),使其在功率損耗方面表現優異,適合高效電源應用。該器件的最大漏極電流 (ID) 為 85A,非常適合需要大電流處理的場合,采用了溝槽 (Trench) 技術,進一步提升了其開關速度和導通性能。

### 二、K4078B-ZK-VB 詳細參數說明

- **型號**:K4078B-ZK-VB
- **封裝類型**:TO252
- **配置**:單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:40V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極門限電壓 (Vth)**:2.5V
- **漏源導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS = 4.5V
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:85A
- **技術類型**:溝槽技術(Trench)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C(結溫)
- **功率耗散**:待具體應用情況下評估

### 三、K4078B-ZK-VB 應用領域與模塊舉例

1. **電源管理系統**  
  K4078B-ZK-VB 非常適合用于電源管理應用,包括 DC-DC 轉換器和 AC-DC 電源適配器。其低 RDS(ON) 值和高電流能力能夠有效提高功率轉換效率,減少能量損耗,特別適用于對能效要求較高的設備。

2. **負載開關**  
  在負載開關應用中,K4078B-ZK-VB 能夠快速響應控制信號,確保在不同負載條件下的高效切換。其高達 85A 的漏極電流能力使其能夠處理各種工業和消費電子設備中的高功率負載,保證系統的穩定性和安全性。

3. **電機驅動**  
  該 MOSFET 適用于各種電機驅動應用,如小型電機控制和自動化系統。其快速開關特性使得電機啟動和停止迅速高效,有助于提升電機運行的整體性能,廣泛應用于家電和工業設備中。

4. **汽車電子**  
  K4078B-ZK-VB 也可應用于汽車電子系統中,如電源分配和電動助力轉向系統,確保高電流處理的同時保證穩定性和安全性。這類應用要求器件在高溫和嚴苛環境下仍能穩定工作,而該 MOSFET 能夠滿足這些要求。

綜上所述,K4078B-ZK-VB 是一款高性能的 MOSFET,適用于多種低電壓、高電流應用領域,包括電源管理、負載開關、電機驅動和汽車電子等。其卓越的電氣性能使其在各類應用中成為理想選擇。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優,同時兼具供應穩定與成本優勢的國產替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    478瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經典器件尋找一個性能更強、供應更穩、價值更高的國產替代方案,已成為驅動產品創新與保障交付安全的核心戰略。面對英飛凌經典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數到系統效能的全面價值躍升。從參數對標到性能飛
    408瀏覽量