国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

企業號介紹

全部
  • 全部
  • 產品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內容數 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

K4067-TL-E-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K4067-TL-E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### K4067-TL-E-VB 產品簡介

K4067-TL-E-VB 是一款采用 TO252 封裝的單 N 通道 MOSFET,專為高效低壓應用設計。其最大漏極源極電壓 (VDS) 為 30V,適用于多種低壓開關電路和電源管理系統。K4067-TL-E-VB 的柵極源極電壓 (VGS) 最大為 ±20V,使其能夠在不同驅動電壓條件下靈活運行。該 MOSFET 的閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,確保快速開啟和關閉。導通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS=4.5V 時為 9mΩ,VGS=10V 時降至 7mΩ,支持高達 70A 的電流。得益于 Trench 技術的應用,K4067-TL-E-VB 在高電流傳輸時提供低功耗、高效能,適合需要高電流和低功耗的現代電子設備。

### 詳細參數說明

| 參數               | 值                     |
|------------------|----------------------|
| 型號               | K4067-TL-E-VB        |
| 封裝               | TO252                |
| 配置               | 單 N 通道            |
| 最大漏極源極電壓 (VDS) | 30V                  |
| 最大柵極源極電壓 (VGS) | ±20V                |
| 閾值電壓 (Vth)    | 1.7V                 |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 9mΩ @ VGS=4.5V       |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 7mΩ @ VGS=10V        |
| 最大漏電流 (ID)   | 70A                  |
| 技術               | Trench               |

### 應用領域和模塊示例

K4067-TL-E-VB MOSFET 在多個領域具有廣泛的應用,主要包括:

1. **電源管理模塊**:K4067-TL-E-VB 在高效 DC-DC 轉換器和穩壓電源中有廣泛應用。其低導通電阻和高電流能力能夠減少功率損耗,提升整體系統效率,適用于電源轉換、負載開關等場景。

2. **電動機驅動**:在電動機驅動模塊中,該 MOSFET 的高電流處理能力和低功耗設計,使其成為電動機控制、調速和驅動應用中的理想選擇,確保電動機運行穩定高效。

3. **LED 照明驅動**:在 LED 驅動電路中,K4067-TL-E-VB 能夠提供穩定的電流輸出,有效控制功耗,確保 LED 的亮度一致性和電能的高效利用。

4. **充電系統**:其高電流承載能力,使得 K4067-TL-E-VB 適合用于快速充電器、移動電源等電池充電應用,能夠加快充電速度并減少充電過程中熱量的產生。

5. **消費電子產品**:廣泛用于智能手機、平板電腦等消費電子設備的電源管理和開關控制模塊,K4067-TL-E-VB 能夠確保設備在高功耗應用下運行可靠,延長設備的使用壽命。

總的來說,K4067-TL-E-VB 以其高效的電流傳輸和低導通電阻,適用于多種高電流、低電壓的應用場景,成為眾多現代電子設備中必不可少的核心元件。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優,同時兼具供應穩定與成本優勢的國產替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    478瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經典器件尋找一個性能更強、供應更穩、價值更高的國產替代方案,已成為驅動產品創新與保障交付安全的核心戰略。面對英飛凌經典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數到系統效能的全面價值躍升。從參數對標到性能飛
    409瀏覽量