--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### K4057-ZK-E2-AY-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
K4057-ZK-E2-AY-VB 是一款高效能的 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏極到源極電壓(VDS)為 30V,適合于各種低電壓開(kāi)關(guān)和電源管理電路。該 MOSFET 的柵極到源極電壓(VGS)為 ±20V,確保了在多種工作條件下的穩(wěn)定性和可靠性。K4057-ZK-E2-AY-VB 的閾值電壓(Vth)為 1.7V,使其能夠在較低的柵電壓下快速導(dǎo)通,適合高效的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。同時(shí),在 VGS=4.5V 和 VGS=10V 下,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))分別為 9mΩ 和 7mΩ,顯示出極低的導(dǎo)通損耗,使其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色,額定電流(ID)高達(dá) 70A。其采用的溝槽技術(shù)(Trench)使得 MOSFET 在效率和散熱方面表現(xiàn)優(yōu)異,非常適合高性能電源和電動(dòng)機(jī)控制領(lǐng)域。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: K4057-ZK-E2-AY-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單 N 通道
- **漏極到源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極到源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **額定電流 (ID)**: 70A
- **技術(shù)**: 溝槽技術(shù)(Trench)
### 適用領(lǐng)域和模塊
K4057-ZK-E2-AY-VB MOSFET 在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中展現(xiàn)出色的應(yīng)用潛力,具體包括:
1. **電源管理**: 由于其低導(dǎo)通電阻和高額定電流,K4057-ZK-E2-AY-VB 非常適合用于開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,以實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和管理,降低能耗。
2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 在電動(dòng)機(jī)控制應(yīng)用中,該 MOSFET 可以作為高效的開(kāi)關(guān)元件,確保對(duì)電動(dòng)機(jī)的快速響應(yīng)和精準(zhǔn)控制,從而提高整體系統(tǒng)性能。
3. **電池管理系統(tǒng)**: K4057-ZK-E2-AY-VB 適合用于電池管理系統(tǒng)(BMS),在充電和放電過(guò)程中提供高效的開(kāi)關(guān)控制,幫助提高充電效率和延長(zhǎng)電池壽命。
4. **LED 驅(qū)動(dòng)**: 在 LED 照明系統(tǒng)中,該 MOSFET 能夠提供穩(wěn)定的電流控制,確保 LED 的均勻亮度和長(zhǎng)久使用壽命,特別適合高功率 LED 驅(qū)動(dòng)。
5. **功率模塊**: K4057-ZK-E2-AY-VB 的小型 TO252 封裝和高性能特性使其非常適合用于功率模塊中,提供可靠的電源輸出并優(yōu)化系統(tǒng)空間。
通過(guò)這些應(yīng)用示例,K4057-ZK-E2-AY-VB 顯示出其在低電壓、高電流環(huán)境中的廣泛應(yīng)用潛力和卓越性能表現(xiàn)。
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