国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

企業號介紹

全部
  • 全部
  • 產品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內容數 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

K4057-ZK-E1-AY-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K4057-ZK-E1-AY-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### K4057-ZK-E1-AY-VB 產品簡介

K4057-ZK-E1-AY-VB 是一款高效能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為低電壓和高電流應用而設計。該器件的最大漏極至源極電壓(VDS)為 30V,門源電壓(VGS)范圍為 ±20V,閾值電壓(Vth)為 1.7V,使其在較低的驅動電壓下能夠穩定工作。K4057 的導通電阻(RDS(ON))在 4.5V 的門源電壓下為 9mΩ,而在 10V 的門源電壓下為 7mΩ,表明其在高電流條件下具有極低的功耗,適合高效的電源管理和控制系統。

### 詳細參數說明

| 參數                  | 描述                      |
|---------------------|-------------------------|
| **封裝**              | TO252                   |
| **配置**              | 單 N 溝道 MOSFET        |
| **最大漏源電壓 (VDS)** | 30V                     |
| **門源電壓 (VGS)**    | ±20V                    |
| **閾值電壓 (Vth)**    | 1.7V                    |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 9mΩ @ VGS=4.5V         |
|                       | 7mΩ @ VGS=10V           |
| **最大漏極電流 (ID)**  | 70A                     |
| **技術**              | 溝槽技術(Trench)       |

### 適用領域與模塊示例

K4057-ZK-E1-AY-VB MOSFET 適用于多個領域和模塊,包括:

1. **電源管理**:該 MOSFET 在 DC-DC 轉換器和開關電源中非常有效,能夠處理高達 70A 的電流,適合用于高效能電源系統,降低能量損耗。

2. **電機驅動**:在電機控制應用中,K4057 可用作高側或低側開關,支持大電流的控制,特別適合用于電動工具、電動自行車和家電產品等。

3. **LED 驅動**:在 LED 照明系統中,此 MOSFET 可作為開關元件,用于調節電流,確保照明設備的高效能和長壽命。

4. **汽車電子**:適用于汽車的電源控制單元和驅動模塊,如電動窗、座椅調節器和燈光控制,能夠滿足汽車對小型化和高效能的要求。

5. **便攜式設備**:在便攜式電子設備的電源管理中,K4057 的小封裝和高電流能力使其成為理想選擇,有助于提高電池的使用效率。

K4057-ZK-E1-AY-VB MOSFET 憑借其出色的電氣性能和多樣的應用領域,成為電子工程師在低電壓高電流設計中的首選器件。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優,同時兼具供應穩定與成本優勢的國產替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    478瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經典器件尋找一個性能更強、供應更穩、價值更高的國產替代方案,已成為驅動產品創新與保障交付安全的核心戰略。面對英飛凌經典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數到系統效能的全面價值躍升。從參數對標到性能飛
    408瀏覽量