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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K4033-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K4033-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K4033-VB 產(chǎn)品簡介

K4033-VB 是一款高效能的單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為低壓高電流應(yīng)用設(shè)計。該器件的漏源電壓 (VDS) 達(dá)到 60V,支持 ±20V 的柵極電壓 (VGS),確保在各種工作環(huán)境下的穩(wěn)定性。K4033-VB 的門限電壓 (Vth) 為 1.7V,使其具有出色的開關(guān)性能和快速響應(yīng)能力。在導(dǎo)通狀態(tài)下,漏源導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在柵極電壓為 4.5V 時為 85mΩ,而在 10V 時更低,僅為 73mΩ,極大地降低了功耗并提高了效率。其最大漏極電流 (ID) 可達(dá) 18A,適合于廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,如開關(guān)電源、電機驅(qū)動和電源管理系統(tǒng)。

### 二、K4033-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**:K4033-VB
- **封裝類型**:TO252
- **配置**:單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:60V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **漏源導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 85mΩ @ VGS = 4.5V
 - 73mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:18A
- **技術(shù)類型**:溝槽技術(shù)(Trench)
- **耗散功率**:待具體應(yīng)用情況下評估
- **開關(guān)速度**:受柵極驅(qū)動電路和工作頻率影響
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C(結(jié)溫)

### 三、K4033-VB 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **開關(guān)電源**  
  K4033-VB 非常適合用于開關(guān)電源 (SMPS) 模塊,特別是在低壓高電流的應(yīng)用中。它的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力可以顯著提高電源效率,降低能量損耗,廣泛應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 AC-DC 適配器中。

2. **電機控制**  
  該 MOSFET 適合用于電機驅(qū)動系統(tǒng),包括無刷直流電機和步進(jìn)電機。其高電流能力和快速開關(guān)特性使其能夠有效控制電機的啟動、運行和停止,提供平穩(wěn)的電機控制體驗。

3. **電源管理和負(fù)載開關(guān)**  
  K4033-VB 在電源管理系統(tǒng)中可作為負(fù)載開關(guān),以高效地控制電源的開啟和關(guān)閉。它的低導(dǎo)通電阻和快速響應(yīng)能力使其成為電池供電設(shè)備、智能家居產(chǎn)品和移動電子設(shè)備的理想選擇。

4. **消費電子**  
  該器件在消費電子產(chǎn)品中也得到廣泛應(yīng)用,如便攜式充電器、智能手機、平板電腦等,能夠提供高效的功率管理和可靠的開關(guān)性能。

綜上所述,K4033-VB 是一款性能優(yōu)越的 MOSFET,適用于多種低壓高電流的應(yīng)用場景,能夠有效提升系統(tǒng)的整體效率和可靠性。

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