国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

企業號介紹

全部
  • 全部
  • 產品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內容數 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

K3993-ZK-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K3993-ZK-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### K3993-ZK-VB 產品簡介

K3993-ZK-VB 是一款采用 TO252 封裝的單 N 通道 MOSFET,專為高效能和低電阻應用設計。其最大漏極源極電壓 (VDS) 為 30V,適合多種低壓電源和驅動電路。該 MOSFET 的柵極源極電壓 (VGS) 最高可達 ±20V,提供了靈活的驅動選項。K3993-ZK-VB 的閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,在開啟時表現出極佳的導通性能,具有超低的導通電阻 (RDS(ON)),在 VGS=4.5V 時為 3mΩ,在 VGS=10V 時為 2mΩ,額定電流可達 100A。這使得 K3993-ZK-VB 特別適合高電流應用,以降低功耗和熱量生成。采用 Trench 技術,K3993-ZK-VB 在提高開關速度和導通效率方面表現出色,適合各種現代電子設備。

### 詳細參數說明

| 參數               | 值                     |
|------------------|----------------------|
| 型號               | K3993-ZK-VB          |
| 封裝               | TO252                |
| 配置               | 單 N 通道            |
| 最大漏極源極電壓 (VDS) | 30V                  |
| 最大柵極源極電壓 (VGS) | ±20V                |
| 閾值電壓 (Vth)    | 1.7V                 |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 3mΩ @ VGS=4.5V      |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 2mΩ @ VGS=10V       |
| 最大漏電流 (ID)   | 100A                 |
| 技術               | Trench               |

### 應用領域和模塊示例

K3993-ZK-VB MOSFET 可廣泛應用于以下領域和模塊:

1. **電源管理**:由于其低導通電阻和高電流能力,K3993-ZK-VB 非常適合用于高效電源管理系統,能夠優化電源效率,降低能量損耗。

2. **電動機驅動**:在電動機控制模塊中,該 MOSFET 可用于高電流電動機的開關控制,適應各種負載情況,確保系統的可靠性和穩定性。

3. **LED 照明**:在 LED 照明驅動電路中,K3993-ZK-VB 能夠提供高效的電流控制,以確保光源的亮度和穩定性,特別是在調光應用中。

4. **開關電源**:該 MOSFET 可用于開關電源 (SMPS) 中的高效開關,實現電壓轉換和功率調節,提升系統的整體性能。

5. **電池管理系統**:在電池充放電過程中,K3993-ZK-VB 可用于監控和控制電流流動,確保電池的安全性和壽命。

綜上所述,K3993-ZK-VB 以其卓越的性能和多功能性,成為高電流低電壓應用中的理想選擇。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優,同時兼具供應穩定與成本優勢的國產替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    478瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經典器件尋找一個性能更強、供應更穩、價值更高的國產替代方案,已成為驅動產品創新與保障交付安全的核心戰略。面對英飛凌經典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數到系統效能的全面價值躍升。從參數對標到性能飛
    409瀏覽量