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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K3984-ZK-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K3984-ZK-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 55mΩ@VGS=10V
  • ID 25A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K3984-ZK-VB 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,封裝為 TO252,專(zhuān)為高電壓和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在較低的柵極電壓下表現(xiàn)出優(yōu)良的開(kāi)關(guān)性能,適合用于高效能的電源管理和驅(qū)動(dòng)電路。K3984-ZK-VB 在 100V 的漏極源電壓(VDS)和 25A 的最大漏極電流(ID)下運(yùn)行,能夠在多種應(yīng)用中提供可靠的性能。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: K3984-ZK-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單 N 通道
- **漏極源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵極源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 57mΩ @ VGS = 4.5V
 - 55mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 25A
- **技術(shù)**: Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊

K3984-ZK-VB MOSFET 適用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊,例如:

1. **開(kāi)關(guān)電源**: 由于其低導(dǎo)通電阻和高電壓能力,該MOSFET可以用于高效的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì),以減少能量損耗并提高整體效率。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 該MOSFET能夠提供快速的開(kāi)關(guān)響應(yīng),非常適合用于電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)電路,尤其在電動(dòng)機(jī)啟動(dòng)和運(yùn)行時(shí),能夠保證穩(wěn)定的電流供應(yīng)。

3. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**: 在各種 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,K3984-ZK-VB 的高效開(kāi)關(guān)特性使其成為提升電源轉(zhuǎn)換效率的理想選擇。

4. **電池管理系統(tǒng)**: 在電池管理系統(tǒng)中,該MOSFET可用于電池充放電控制,以確保安全和高效的電池操作。

5. **家電和消費(fèi)電子**: 由于其較小的封裝尺寸和良好的熱管理特性,適合用于各類(lèi)家用電器和消費(fèi)電子設(shè)備中的電源管理模塊。

通過(guò)在這些領(lǐng)域的應(yīng)用,K3984-ZK-VB MOSFET 提供了卓越的性能和可靠性,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和小型化的需求。

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