--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
- ID 100A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
K3919-ZK-VB 是一款高性能單N溝道功率MOSFET,采用TO252封裝,專(zhuān)為低電壓高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏源極電壓(VDS)高達(dá)30V,適用于各種電源和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。K3919-ZK-VB 的閾值電壓(Vth)為1.7V,確保在低柵極驅(qū)動(dòng)電壓下快速導(dǎo)通,具有優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能。憑借其先進(jìn)的Trench技術(shù),該MOSFET 具有極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON) 為3mΩ@VGS=4.5V和2mΩ@VGS=10V),能夠在高電流條件下實(shí)現(xiàn)高效能量傳輸,減少熱量產(chǎn)生,提高系統(tǒng)的可靠性和效率。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類(lèi)型**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極驅(qū)動(dòng)電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)
- **工作溫度范圍**: -55°C 到 150°C
### 適用領(lǐng)域和模塊應(yīng)用
K3919-ZK-VB MOSFET 由于其卓越的性能,廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. **電源管理**: K3919-ZK-VB 在開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中被廣泛使用,可以作為主開(kāi)關(guān)元件,在高效率和低損耗條件下進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換,滿足高功率需求。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 該MOSFET 非常適合用于直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,能夠提供高達(dá)100A的電流輸出,適合各種工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)設(shè)備的電機(jī)控制系統(tǒng)。
3. **LED驅(qū)動(dòng)器**: K3919-ZK-VB 可用于LED驅(qū)動(dòng)電路中,能夠高效地控制LED的亮度,并降低能耗,同時(shí)確保穩(wěn)定的電流供應(yīng)。
4. **高功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用**: K3919-ZK-VB 在高功率開(kāi)關(guān)電路中表現(xiàn)優(yōu)異,適用于功率放大器、功率模塊及電池管理系統(tǒng)等,能夠提供高效的能量轉(zhuǎn)換和低熱量生成。
綜上所述,K3919-ZK-VB 是一款理想的低電壓高電流MOSFET,適用于多種高功率和高效率的電力電子應(yīng)用,能夠在確保高性能的同時(shí),提升系統(tǒng)的整體效率與穩(wěn)定性。
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