### 產品簡介
K375-S-VB是一款高耐壓N通道MOSFET，采用TO252封裝，專為高壓應用設計，具有650V的漏源電壓（VDS）。其平面型結構（Plannar技術）確保了器件的高穩定性和可靠性，使其在電源管理和電機控制等領域具有優良的表現。K375-S-VB適用于各種需要高耐壓的開關應用，如工業設備、汽車電子及高壓電源轉換器。
### 詳細參數說明
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **VDS**: 650V
- **VGS**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **RDS(ON)**:
- 3440mΩ（VGS=4.5V）
- 4300mΩ（VGS=10V）
- **漏極電流 (ID)**: 2A
- **技術**: Plannar
### 應用領域與模塊
K375-S-VB MOSFET廣泛應用于電源管理、LED驅動、工業控制系統和電機驅動模塊。在電源轉換器中，它能夠有效處理高電壓和高電流，從而提升轉換效率；在LED驅動電路中，它提供穩定的電流控制，確保LED的穩定運行。此外，由于其良好的開關特性，該MOSFET還可用于各種高壓開關設備，如繼電器和開關電源模塊，為設計工程師提供靈活的解決方案。
