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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K3638-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K3638-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K3638-VB 產(chǎn)品簡介

K3638-VB是一款高性能單N通道MOSFET,采用TO252封裝,專為低壓、高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(VDS)為20V,適用于各種電源管理和開關(guān)應(yīng)用。該器件的閾值電壓(Vth)在0.5V至1.5V之間,確保在較低的柵源電壓下實(shí)現(xiàn)高效開關(guān)。K3638-VB的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))非常低,分別為6mΩ(@VGS=2.5V)和4.5mΩ(@VGS=4.5V),最大漏電流可達(dá)100A,確保其在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定性能和低熱量損耗。

### K3638-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**:TO252
- **配置**:單N通道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:20V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:0.5V ~ 1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:6mΩ(@ VGS = 2.5V),4.5mΩ(@ VGS = 4.5V)
- **最大漏電流 (ID)**:100A
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**:K3638-VB非常適合電源管理應(yīng)用,包括DC-DC轉(zhuǎn)換器和線性穩(wěn)壓器,能夠有效降低能量損耗,提升系統(tǒng)效率。

2. **電動機(jī)驅(qū)動**:在電動機(jī)控制中,該MOSFET可以用作H橋電路的開關(guān),提供高效的電流控制,廣泛應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品。

3. **LED驅(qū)動電路**:K3638-VB適用于LED驅(qū)動電路,能提供穩(wěn)定的電流輸出,確保LED在高功率條件下的亮度和一致性,適合商業(yè)照明和裝飾用途。

4. **便攜式電子設(shè)備**:由于其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,該MOSFET非常適合用于便攜式電子設(shè)備的電源管理模塊,確保長時(shí)間穩(wěn)定工作。

5. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理應(yīng)用中,K3638-VB可高效控制充放電過程,保障電池安全,廣泛用于電動汽車和可再生能源系統(tǒng)。

憑借其卓越的電氣性能和廣泛的適用范圍,K3638-VB成為現(xiàn)代低壓電源設(shè)計(jì)的重要組件。

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