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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K3367-Z-E1-AZ-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K3367-Z-E1-AZ-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K3367-Z-E1-AZ-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K3367-Z-E1-AZ-VB是一款高性能單N通道MOSFET,采用TO252封裝,專為低電壓高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(VDS)為30V,適合用于要求小型化和高效率的電子設(shè)備。該器件的閾值電壓(Vth)為1.7V,能夠在較低的柵源電壓下正常工作。K3367-Z-E1-AZ-VB具有優(yōu)越的導(dǎo)通電阻,分別為9mΩ(@VGS=4.5V)和7mΩ(@VGS=10V),可承載高達(dá)70A的漏電流,確保在高頻開關(guān)操作中實(shí)現(xiàn)最低能耗。

### K3367-Z-E1-AZ-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝**:TO252
- **配置**:?jiǎn)蜰通道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ(@ VGS = 4.5V)
 - 7mΩ(@ VGS = 10V)
- **最大漏電流 (ID)**:70A
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **高效開關(guān)電源**:K3367-Z-E1-AZ-VB非常適合于低電壓高效開關(guān)電源(SMPS),因其低導(dǎo)通電阻和高電流能力,能夠有效降低功耗,提升系統(tǒng)效率。

2. **LED驅(qū)動(dòng)**:在LED驅(qū)動(dòng)電路中,該MOSFET能夠提供穩(wěn)定的電流控制,確保LED的亮度穩(wěn)定,廣泛應(yīng)用于各類照明系統(tǒng)中。

3. **電池管理系統(tǒng)**:K3367-Z-E1-AZ-VB在電池管理系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異,能夠高效管理充放電過程,確保電池安全使用,提升電池的性能和壽命。

4. **小型電機(jī)控制**:在小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,該MOSFET可以作為H橋電路的開關(guān),控制電機(jī)的啟停及調(diào)速,適合于消費(fèi)電子產(chǎn)品和機(jī)器人技術(shù)。

5. **電源管理IC**:作為電源管理集成電路中的開關(guān)元件,K3367-Z-E1-AZ-VB能夠高效切換電源路徑,廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)和便攜式設(shè)備中。

K3367-Z-E1-AZ-VB憑借其卓越的性能和多樣化的應(yīng)用,成為現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中不可或缺的關(guān)鍵元件。

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