K3365-Z-E1-AZ-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

MOSFET MOS管 VBsemi 場(chǎng)效應(yīng)管

型號(hào)： K3365-Z-E1-AZ-VB

品牌： VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

Package TO252
溝道 Single-N-Channel
VDS 30V
VGS 20（±V）
Vth 1.7V
RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

K3365-Z-E1-AZ-VB.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
K3365-Z-E1-AZ-VB是一款高效能單N溝道MOSFET，采用TO252封裝，專(zhuān)為低壓、高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。其極低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力，使其在各種電源管理和控制系統(tǒng)中表現(xiàn)出色，適合于高效能的電子設(shè)備。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝**：TO252
- **配置**：?jiǎn)蜰通道
- **VDS**：30V
- **VGS**：±20V
- **閾值電壓 (Vth)**：1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**：70A
- **技術(shù)**：Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域
K3365-Z-E1-AZ-VB廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、LED驅(qū)動(dòng)和便攜式電子設(shè)備等領(lǐng)域，特別適合于高效電源管理模塊和開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其在現(xiàn)代電源解決方案中扮演重要角色，能夠有效提高整體系統(tǒng)的能效與穩(wěn)定性。

微碧半導(dǎo)體VBsemi

K3365-Z-E1-AZ-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

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