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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K3150-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K3150-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 30mΩ@VGS=10V
  • ID 40A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

K3150-VB 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電壓和高電流應(yīng)用而設(shè)計。該 MOSFET 的最大漏源極電壓(VDS)為 100V,柵源極電壓(VGS)可達(dá) ±20V,使其在多種電源管理和開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。其閾值電壓(Vth)為 1.8V,能夠在較低的柵源電壓下迅速導(dǎo)通。K3150-VB 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在柵源電壓 4.5V 和 10V 下分別為 35mΩ 和 30mΩ,確保了在高電流條件下的低能量損耗,最大漏極電流(ID)可達(dá) 40A,特別適合高效能和高密度的電路設(shè)計。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**:K3150-VB  
- **封裝類型**:TO252  
- **溝道配置**:單 N 溝道  
- **漏源極電壓 (VDS)**:100V  
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:1.8V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 35mΩ @ VGS=4.5V  
 - 30mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:40A  
- **技術(shù)類型**:Trench  
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C  
- **開關(guān)速度**:具有優(yōu)異的開關(guān)特性,適合高頻應(yīng)用  

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

K3150-VB 的卓越性能使其在多個領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,以下是一些具體的應(yīng)用實例:

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 AC-DC 適配器中,K3150-VB 可用于高效能的功率轉(zhuǎn)換,廣泛應(yīng)用于計算機(jī)電源、通信設(shè)備等,以提高能效和系統(tǒng)穩(wěn)定性。

2. **電動汽車充電站**:在電動汽車的充電系統(tǒng)中,K3150-VB 可作為開關(guān)元件,優(yōu)化充電過程中的電流管理,確保充電效率和安全性,滿足快速充電的需求。

3. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:在工業(yè)自動化設(shè)備中,K3150-VB 被廣泛應(yīng)用于電機(jī)控制和伺服驅(qū)動系統(tǒng)中,以實現(xiàn)精確的速度和扭矩控制,提升生產(chǎn)效率。

4. **LED 照明驅(qū)動**:該 MOSFET 適用于高功率 LED 照明應(yīng)用,作為開關(guān)元件進(jìn)行電流控制,以提高亮度調(diào)節(jié)的精確性和 LED 的能效。

5. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:在智能手機(jī)、平板電腦等消費(fèi)電子設(shè)備中,K3150-VB 用于電源管理電路,優(yōu)化電池性能,延長設(shè)備的使用時間,滿足日益增長的用戶需求。

通過以上應(yīng)用實例,K3150-VB 展示了其卓越的性能和廣泛的適用性,是現(xiàn)代電源管理和開關(guān)電路設(shè)計的重要組件。

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