国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

K3031-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K3031-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
K3031-VB 是一款高效能的單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為中等電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(VDS)可達(dá) 100V,柵源電壓(VGS)為 ±20V,使其適用于多種電源管理和開關(guān)應(yīng)用。K3031-VB 的開啟閾值電壓(Vth)為 1.8V,確保在較低的柵壓下也能快速導(dǎo)通。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 114mΩ @ VGS = 10V,使得在高電流(ID 最大為 15A)應(yīng)用中具有較低的功率損耗。采用 Trench 技術(shù),K3031-VB 提供了更高的效率和更好的熱性能,適合用于電力轉(zhuǎn)換和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
- **封裝類型**: TO252  
- **配置**: 單 N 溝道  
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 1.8V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 114mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏極電流 (ID)**: 15A  
- **技術(shù)**: Trench  

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:
1. **電源管理系統(tǒng)**:K3031-VB 可廣泛應(yīng)用于電源管理模塊中,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源適配器,以提高轉(zhuǎn)換效率和降低熱量損耗。

2. **電動(dòng)機(jī)控制**:在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,該 MOSFET 適合用于高效的開關(guān)控制,如小型電動(dòng)機(jī)和風(fēng)扇驅(qū)動(dòng),有助于提升系統(tǒng)的能效和可靠性。

3. **LED 驅(qū)動(dòng)電路**:K3031-VB 可用于 LED 照明驅(qū)動(dòng)電路,提供穩(wěn)定的電流控制,確保 LED 的長(zhǎng)壽命和高亮度。

4. **開關(guān)電源(SMPS)**:在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中,該器件能夠承受 100V 的電壓,適合用于高頻開關(guān)應(yīng)用,提升電源的整體性能。

如需更多詳細(xì)信息或技術(shù)支持,請(qǐng)隨時(shí)告知!

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    478瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    409瀏覽量