国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

K2885-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2885-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K2885-VB 產(chǎn)品簡介
K2885-VB 是一款高性能的單 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計。該器件具有高達(dá) 30V 的漏源極電壓 (VDS) 和 70A 的漏極電流 (ID),適合于要求高效能和低熱量的應(yīng)用環(huán)境。利用 Trench 技術(shù),K2885-VB 提供了極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),在 VGS=10V 時為 7mΩ,在 VGS=4.5V 時為 9mΩ。這使得該 MOSFET 在高效能電源轉(zhuǎn)換、驅(qū)動和電機控制應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### 二、K2885-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 70A
- **技術(shù)**: Trench

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊說明
K2885-VB 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻特性使其適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域,具體包括以下幾個方面:

1. **電源管理系統(tǒng)**:  
  K2885-VB 常用于電源管理模塊中,尤其是在需要高效率和低功耗的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中。其低導(dǎo)通電阻可減少能量損失,提高系統(tǒng)的整體效率。

2. **電動機控制**:  
  該 MOSFET 適用于各種電機驅(qū)動應(yīng)用,包括電動工具、家電及工業(yè)電動機控制。高電流能力確保在瞬態(tài)負(fù)載條件下可靠地驅(qū)動電機。

3. **開關(guān)電源適配器**:  
  在各種開關(guān)電源適配器中,K2885-VB 提供了優(yōu)異的開關(guān)性能和電流承載能力,使其能夠在小型電源設(shè)計中提供穩(wěn)定的電壓輸出。

4. **LED 照明驅(qū)動**:  
  由于其高效率和高電流處理能力,K2885-VB 可用于驅(qū)動 LED 照明系統(tǒng),提供所需的電流和電壓以保證LED 的高效能和長壽命。

K2885-VB 是一款在低電壓、高電流應(yīng)用中表現(xiàn)卓越的 MOSFET,適合于電源管理、電機控制和照明等多個領(lǐng)域,幫助設(shè)計師實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和管理。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    482瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    411瀏覽量