国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

企業號介紹

全部
  • 全部
  • 產品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內容數 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

K2819-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K2819-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### K2819-VB 產品簡介

K2819-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為低電壓和高電流應用設計。該器件的漏源電壓 (VDS) 可達 30V,適合在多種電子設備中使用。K2819-VB 的柵源電壓 (VGS) 范圍為 ±20V,閾值電壓 (Vth) 僅為 1.7V,確保其能夠在較低電壓下迅速導通。該 MOSFET 的導通電阻 (RDS(ON)) 具有優異的性能,分別為 9mΩ @ VGS=4.5V 和 7mΩ @ VGS=10V,顯示出其卓越的導通效率,降低了功率損耗。最大持續電流 (ID) 可達 70A,采用 Trench 技術制造,提供高效能和優良的熱管理性能,非常適合要求較高的應用場合。

### K2819-VB 詳細參數說明

| 參數                  | 說明                     |
|---------------------|------------------------|
| 型號                  | K2819-VB               |
| 封裝                  | TO252                  |
| 配置                  | 單個 N 溝道              |
| 漏源電壓 (VDS)       | 30V                    |
| 柵源電壓 (VGS)       | ±20V                   |
| 閾值電壓 (Vth)       | 1.7V                   |
| 導通電阻 (RDS(ON))    | 9mΩ @ VGS=4.5V        |
|                     | 7mΩ @ VGS=10V          |
| 最大持續電流 (ID)    | 70A                    |
| 技術                  | Trench                 |

### 應用領域和模塊示例

1. **電源管理解決方案**:K2819-VB 被廣泛應用于高效的 DC-DC 轉換器和開關電源(SMPS),幫助實現優良的電源轉換效率和降低能量損耗,適用于各種工業和消費類電子產品。

2. **LED 驅動器**:在 LED 照明系統中,K2819-VB 可作為高效開關,用于調節電流,提升 LED 的亮度和能效,廣泛應用于家庭和商業照明解決方案。

3. **電動工具**:在電動工具和小型電機驅動應用中,該 MOSFET 可提供穩定的電流供應,確保工具的高效運行和耐用性,適合需要高功率和高效率的工具。

4. **汽車電子**:在汽車電子設備中,K2819-VB 可以用于電源分配和控制模塊,支持高電流的電機控制和信號調節,提高汽車電氣系統的性能和穩定性。

憑借其卓越的電氣性能和廣泛的應用范圍,K2819-VB 是各種低電壓高電流應用中的理想選擇,能夠滿足多種領域和模塊的需求。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優,同時兼具供應穩定與成本優勢的國產替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    482瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經典器件尋找一個性能更強、供應更穩、價值更高的國產替代方案,已成為驅動產品創新與保障交付安全的核心戰略。面對英飛凌經典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數到系統效能的全面價值躍升。從參數對標到性能飛
    411瀏覽量