国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

企業號介紹

全部
  • 全部
  • 產品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內容數 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

K2684-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K2684-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### K2684-VB MOSFET 產品簡介

K2684-VB 是一款高效的 **單N溝道** MOSFET,采用 **TO252** 封裝,專為低電壓和高電流應用設計。其 **漏源電壓 (VDS)** 為 **30V**,適用于各種電源管理和開關應用。該器件的 **門源電壓 (VGS)** 可達 ±20V,確保靈活的驅動選項。K2684-VB 的 **閾值電壓 (Vth)** 為 1.7V,使其能夠在較低電壓下實現可靠的導通。其出色的 **導通電阻 (RDS(ON))** 分別為 9mΩ @ VGS=4.5V 和 7mΩ @ VGS=10V,確保在高電流條件下的低功耗和高效能。

---

### 詳細參數說明

- **型號**:K2684-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **門源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**:70A
- **技術**:Trench,適合高效低壓應用
- **工作溫度范圍**:適合各種環境

---

### 應用領域和模塊示例

K2684-VB MOSFET 適用于多個領域和模塊,以下是一些具體的應用示例:

1. **電源管理**:在電源管理系統中,K2684-VB 可用于開關電源和線性電源中,提供高效的電流開關和穩壓功能。

2. **電機控制**:該 MOSFET 適合用于電機驅動電路中,能夠高效控制直流電機或步進電機,確保快速響應和高功率輸出。

3. **充電器**:在移動設備和電池充電器中,K2684-VB 能夠有效管理充電電流,支持高效的充電過程,提升整體充電速度。

4. **LED 驅動**:由于其低導通電阻,該 MOSFET 可用于 LED 照明驅動電路中,實現高效的能量傳遞和較長的使用壽命。

5. **汽車電子**:在汽車電子系統中,K2684-VB 可應用于各種控制電路,如電動窗、車載充電器等,提供可靠的開關控制。

K2684-VB 是一款高性能 MOSFET,適合廣泛的低電壓、高電流應用,能夠滿足現代電子設備對高效能和可靠性的需求,是電源管理和驅動控制的理想選擇。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優,同時兼具供應穩定與成本優勢的國產替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    481瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經典器件尋找一個性能更強、供應更穩、價值更高的國產替代方案,已成為驅動產品創新與保障交付安全的核心戰略。面對英飛凌經典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數到系統效能的全面價值躍升。從參數對標到性能飛
    410瀏覽量