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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K2415-Z-E2-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K2415-Z-E2-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、K2415-Z-E2-VB MOSFET 產品簡介
K2415-Z-E2-VB 是一款高性能的單通道 N 型 MOSFET,采用 TO252 封裝,特別設計用于低電壓、高電流的應用。其最大漏源極電壓(VDS)為 60V,適合多種電源和負載驅動的需求。該器件的柵源極電壓(VGS)范圍為 ±20V,提供了良好的開關控制靈活性。K2415-Z-E2-VB 的開啟電壓(Vth)為 1.7V,使其在較低的柵極電壓下即可實現有效導通。其導通電阻(RDS(ON))在 VGS 為 10V 時為 73mΩ,顯示出較低的導通損耗,有助于提高系統的整體效率。最大漏極電流(ID)為 18A,使 K2415-Z-E2-VB 能夠處理較大的負載,廣泛應用于電源管理、工業控制、和電動機驅動等領域。

### 二、K2415-Z-E2-VB MOSFET 詳細參數說明
- **封裝形式**:TO252
- **配置**:單通道 N 型 MOSFET
- **漏源極電壓(VDS)**:60V
- **柵源極電壓(VGS)**:±20V
- **開啟電壓(Vth)**:1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - VGS = 10V 時:73mΩ
 - VGS = 4.5V 時:85mΩ
- **漏極電流(ID)**:18A
- **技術**:Trench
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **最大功耗**:約 70W(典型)
- **輸入電容(Ciss)**:約 1200pF(典型)
- **封裝引腳**:
 - 引腳1:源極(Source)
 - 引腳2:漏極(Drain)
 - 引腳3:柵極(Gate)

### 三、K2415-Z-E2-VB 應用領域與模塊示例
1. **開關電源**:K2415-Z-E2-VB 適用于各種開關電源(SMPS),其低導通電阻特性能夠有效降低能量損耗,提高轉換效率,尤其適合用于電腦電源、LED驅動電源和其他消費類電子產品。

2. **電動機驅動**:該 MOSFET 可用于控制直流電動機和步進電動機,非常適合工業自動化、家用電器和電動工具等領域。其最大漏極電流能力(18A)確保其在電動機起動和運行時能夠承受瞬時負載。

3. **電池管理系統**:在電池管理系統(BMS)中,K2415-Z-E2-VB 的低導通損耗與高電流處理能力相結合,有助于提高電池充電和放電的效率和安全性,適合用于電動車和可再生能源系統的電池管理。

4. **逆變器和充電器**:K2415-Z-E2-VB 同樣在逆變器和充電器中表現出色,其高耐壓和低導通電阻使得電能轉換效率極高,特別適合于太陽能逆變器和電動汽車充電器等應用。

綜上所述,K2415-Z-E2-VB 是一款性能卓越的 N 型 MOSFET,廣泛應用于電源管理、電動機驅動和電池管理等多個領域,能夠有效滿足高電流和低電壓應用的需求。

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