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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K2292-01S-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K2292-01S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 250V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 640mΩ@VGS=10V
  • ID 4.5A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### K2292-01S-VB MOSFET 產品簡介

K2292-01S-VB 是一款高效能的單N通道MOSFET,專為中低壓電源管理和開關應用設計。其**漏極到源極電壓(VDS)**為**250V**,能夠處理較高的電壓負載,適用于多種電力電子設備。該器件的**柵極到源極電壓(VGS)**耐受范圍為±20V,提供了靈活的驅動選項。K2292-01S-VB的**閾值電壓(Vth)**為**3V**,使其能夠在適當的柵極電壓下穩定開啟。在**VGS=10V**時,該器件的**導通電阻(RDS(ON))**為**640mΩ**,在低導通狀態下減少了功率損耗。其最大**漏電流(ID)**為**4.5A**,確保在較高負載條件下的可靠性。采用**Trench技術**,K2292-01S-VB MOSFET在高頻操作中保持良好的性能,適合多種電源管理和開關應用。

### 詳細參數說明

1. **封裝**: TO252  
  TO252封裝具有良好的散熱性能,適合多種電源管理和驅動應用。

2. **配置**: 單N通道  
  N通道配置使K2292-01S-VB在開關和放大電路中具備高效和低功耗的特性。

3. **VDS(漏極到源極電壓)**: 250V  
  適合在中低壓電路中運行,滿足多種電力電子應用的需求。

4. **VGS(柵極到源極電壓)**: ±20V  
  寬闊的柵極電壓范圍保證設計的靈活性,適合多種電路設計。

5. **Vth(閾值電壓)**: 3V  
  在適當的柵極驅動電壓下,確保MOSFET能夠可靠開啟。

6. **RDS(ON)(導通電阻)**: 
  - 640mΩ @ VGS=10V  
  較低的導通電阻減少了導通狀態下的功率損耗,提高了能效。

7. **ID(漏電流)**: 4.5A  
  最大漏電流為4.5A,能夠滿足高電流負載的要求。

8. **技術**: Trench  
  該技術確保MOSFET具有低導通電阻和良好的熱性能,適合多種功率開關應用。

### 適用領域和模塊的應用示例

1. **開關電源(SMPS)**  
  K2292-01S-VB適用于**開關模式電源(SMPS)**中,能夠有效地管理功率轉換,確保高效的電能利用率。

2. **電動機驅動器**  
  該MOSFET廣泛應用于各種**電動機驅動器**,為電動機提供穩定的開關性能,以滿足高電流應用的需求。

3. **LED驅動電路**  
  K2292-01S-VB能夠在**LED驅動電路**中控制高電流LED燈的開關,確保其穩定性和較低的功率損耗。

4. **電池管理系統**  
  在**電池管理系統**中,K2292-01S-VB可用于控制充放電過程,提升電池的安全性和效率,確保長壽命和高性能。

5. **消費電子產品**  
  該器件也適合用于各種**消費電子產品**中,例如電池供電的設備和便攜式設備,提供高效的電源管理解決方案。

綜上所述,K2292-01S-VB MOSFET憑借其出色的電氣特性,廣泛應用于開關電源、電動機驅動、LED驅動、電池管理及消費電子等多個領域,為這些應用提供高效、穩定的性能支持。

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