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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K20S04K3L-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K20S04K3L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 12mΩ@VGS=10V
  • ID 55A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:
K20S04K3L-VB 是一款采用 TO252 封裝的單 N 溝道 MOSFET,專為低電壓和高電流應(yīng)用而設(shè)計,最大漏極-源極電壓為 40V。憑借其閾值電壓為 2.5V 和低導(dǎo)通電阻(RDS(ON) 為 14mΩ @ VGS=4.5V 和 12mΩ @ VGS=10V),該器件能夠提供高達(dá) 55A 的漏極電流,適用于對開關(guān)性能和效率要求較高的電源管理應(yīng)用。K20S04K3L-VB 采用 Trench 技術(shù),有助于降低導(dǎo)通損耗和提高熱性能,使其成為多種電子產(chǎn)品中的理想選擇。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:
- **封裝類型**:TO252  
- **極性**:單 N 溝道  
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:40V  
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:2.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 14mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 12mΩ @ VGS = 10V  
- **漏極電流 (ID)**:55A  
- **技術(shù)**:Trench 技術(shù)  
- **工作溫度范圍**:標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)溫度范圍,具體溫度范圍需參考產(chǎn)品手冊。

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊:
1. **電源管理**:K20S04K3L-VB 在開關(guān)電源 (SMPS) 中被廣泛應(yīng)用,作為主要的開關(guān)元件,能夠高效地管理電源轉(zhuǎn)換。其低導(dǎo)通電阻有助于減少能量損耗,提高系統(tǒng)整體效率,特別適合用于手機充電器、適配器等產(chǎn)品中。

2. **電機驅(qū)動**:該 MOSFET 可以用于小型電動機的控制,能夠處理高達(dá) 55A 的電流,適合用于家電產(chǎn)品、玩具和其他需要電動機驅(qū)動的應(yīng)用中,能夠提供穩(wěn)定的驅(qū)動和調(diào)節(jié)能力。

3. **LED 驅(qū)動電路**:K20S04K3L-VB 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其適合用于 LED 驅(qū)動電路,能夠在保持高效率的同時,確保 LED 的亮度穩(wěn)定,廣泛應(yīng)用于照明產(chǎn)品和顯示器中。

4. **電力電子模塊**:在低壓電源的電力電子設(shè)備中,K20S04K3L-VB 可作為開關(guān)元件,能夠有效地進(jìn)行電壓和電流的調(diào)節(jié),適合用于電池管理系統(tǒng)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。

5. **便攜設(shè)備**:由于其小型 TO252 封裝,K20S04K3L-VB 非常適合用于各種便攜設(shè)備中,能夠在空間受限的情況下提供強大的電流支持,滿足現(xiàn)代消費電子對高效能和小型化的需求。

K20S04K3L-VB 的出色性能和廣泛的適用性,使其成為現(xiàn)代電源管理和開關(guān)應(yīng)用中的重要組件,提供高效、可靠的解決方案。

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